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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:丁立文
研究生(外文):DUNG, LI-WEN
論文名稱:低能電漿促進之二氧化矽薄膜成長
指導教授:伊林伊林引用關係
指導教授(外文):YI, LIN
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:物理與天文學研究所
學門:自然科學學門
學類:天文及太空科學學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:76
語文別:中文
論文頁數:22
中文關鍵詞:電漿低能電漿二氧化矽矽品片鍍膜絕緣層薄膜
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熱氧法的目前在矽晶片上成長二氧化矽薄膜的最佳方式,但其缺點在高高的操作溫度
(1000℃),還會引起晶片雜質的重新分佈,和造成介面的移動或退化,並且有厚度
的限制。因此發展一種低溫的鍍膜技術不但可以克服以上的問題,更可以在非矽半導
體上形成良好的絕緣層,也可以在低熔點的半體上鍍膜。
良好的鍍膜技術有五個要求:⑴厚度均勻性,⑵邊緣覆蓋性,⑶折射率,⑷密度,⑸
張力。要在基片鍍上良好的薄膜,分子在薄膜表面的移動性(Surface mobility)和
表面化學反應(Surface reaction)決定了薄膜品質的好壞。分子的表面移動性佳可
使薄膜的結構趨向晶格化的排列,減少針孔的形成。表面的化學反應影響薄膜的化學
組成。
利用80高斯的磁場限制電子的運動軌跡,可提高電漿的電子密度,同時提高電漿的解
離率,也增加了由電漿到電極間電位差所引起的離子通量。反應物矽烷(Sill4 )與
氧以氣體方式通週電子密度電漿區域,被激發、游離,或分解而到達晶片表面,增進
薄膜成長率。經過低能離子(∼30eV)撞擊的晶片表面產生很多向外的斷鍵,使得分
子容易與結合,因此薄膜的附著性良好。在鍍膜的過程中薄膜分子不斷地,直接或間
接,接受離子撞擊,分子在薄膜表層獲得離子動量傳遞可在表面移動讓分子到達穩定
的位子,如此晶片不需加高溫來促使分子運動。

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