熱氧法的目前在矽晶片上成長二氧化矽薄膜的最佳方式，但其缺點在高高的操作溫度
（1000℃），還會引起晶片雜質的重新分佈，和造成介面的移動或退化，並且有厚度
的限制。因此發展一種低溫的鍍膜技術不但可以克服以上的問題，更可以在非矽半導
體上形成良好的絕緣層，也可以在低熔點的半體上鍍膜。
良好的鍍膜技術有五個要求：⑴厚度均勻性，⑵邊緣覆蓋性，⑶折射率，⑷密度，⑸
張力。要在基片鍍上良好的薄膜，分子在薄膜表面的移動性（Surface mobility）和
表面化學反應（Surface reaction）決定了薄膜品質的好壞。分子的表面移動性佳可
使薄膜的結構趨向晶格化的排列，減少針孔的形成。表面的化學反應影響薄膜的化學
組成。
利用80高斯的磁場限制電子的運動軌跡，可提高電漿的電子密度，同時提高電漿的解
離率，也增加了由電漿到電極間電位差所引起的離子通量。反應物矽烷（Sill4 ）與
氧以氣體方式通週電子密度電漿區域，被激發、游離，或分解而到達晶片表面，增進
薄膜成長率。經過低能離子（∼30eV）撞擊的晶片表面產生很多向外的斷鍵，使得分
子容易與結合，因此薄膜的附著性良好。在鍍膜的過程中薄膜分子不斷地，直接或間
接，接受離子撞擊，分子在薄膜表層獲得離子動量傳遞可在表面移動讓分子到達穩定
的位子，如此晶片不需加高溫來促使分子運動。
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