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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:董心漢
研究生(外文):DONG, XIN-HAN
論文名稱:以矽基板進行磷化銦異質磊晶之研究
論文名稱(外文):Heteroepitaxy of InP-on-Si grown by mocvd
指導教授:李明逵
指導教授(外文):LI, MING-KUI
學位類別:碩士
校院名稱:國立中山大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1988
畢業學年度:76
語文別:中文
論文頁數:47
中文關鍵詞:矽基板基板磷化銦異質磊晶磊晶有機金屬化學氣相沉積法沉積法
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本論文研究之主要目的在於利用矽基板生長磷化銦磊晶膜,以探討異質磊晶工程之生
長機制。本實驗是採用低壓有機金屬化學氣相沉積法,以加成物三甲基銦一三甲基磷
與磷化氫做為材料源,並以二次步驟方法在矽基板上成功的生長出單晶且表面如鏡面
般光亮之磷化銦異質磊晶膜。X 光繞射所得的峰其半高寬非常窄,各峰值之比例接近
理論計算值,顯示磊晶膜內並沒有反向區域。經由拉塞福散射所得的表面反射量為6
.7%此值非常接近磷化銦晶片的反射量。經由霍爾效應所測得的最高電子移動率為
3000c㎡/Vs。磊晶膜的載子濃度對深度的分部佈曲線非常均勻,然而在磊晶膜
/N 型矽的界面卻有明顯的下降。從77K 光激發光光譜可以看出磷化銦磊晶膜在能
隙的附近有一很強的單峰光譜,其半高寬窄至14meV 。從X 光繞射或是PL都可看出
磊晶膜在平行於基板的方向受到一雙向性的張力。磊晶膜的厚度愈厚所測得的數據也
愈好,即使厚度超過5um亦無龜裂的情形發生。經由鋅參新所得的濃度最高值為1.
2×10cm。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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