在本論文中，主要的目的是（１）利用半導性聚乙炔發展肖特基位障（Schottky ba-
rrier） 二極體，以及（２）嘗試利用半導性的聚乙炔製造金一半場效體（MESFETs
）。
於第一主題中，我們已經成功地利用未滲雜或微量摻雜的反式聚乙炔作出肖特基二極
體，並且顯示出良好的整流性質。再由I－V及C－V的特性曲線顯示其理想因素（ide-
ality factor）介於２和４之間，雜質濃度大約在１０至１０cm之間。
除此之外，其易動度（mobility）非常小所以不能用簡單的熱放射理論（thermionic
emission model）來解釋。
於第二主題中，我們製迼出二種聚乙炔金－半場效體的結構，實驗的結果顯示平面型
（planar－type）的結構比三明治型（sandwich－type）的結構特性要好很多。然而
，即使電壓加至３０V ，仍然沒有看到夾止（pinch－off）的現象。從電流與電壓的
特性曲線得知此類場效體為空乏型（depletion－type） 的電晶體，亦即，在Vg＝０
時，其含有可導電的路徑（conductive channel），且其互導（transconductance）
很低。另外，山於輸入電阻很低，以致於造成很大的漏電流。
最後，我們順便提出一些建議來改進聚乙炔金－半場效體的特性。
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