本研究主題是探討鎳矽化物與砷化鎵的界面穩定性，藉由改變鎳矽鍍膜的相對厚度及
退火溫度，研究Ni／Si／GaAs系統。為配合主要分析工具，如X 光繞射儀及穿透式電
子顯微鏡所需，同時也為比較以相同鎳矽原子比例，但不同總厚度所可能造成的差異
，故鍍成兩組厚薄不同的試片，每組各有三片試片分別符合Ni Si、NiSi、NiSi 三
種鎳矽化物化學計量比。
以X 光繞射及電子繞射分析界面反應的生成相及相變化，以電子微探儀分析表面結構
和相分佈，以歐傑電子譜儀配合濺鍍分析界面的元素擴散情形。結果顯示NiSi 能穩
定存於砷化鎵上，尤其鍍膜較薄試片從３００℃到８５０℃皆為單一生成相NiSi 。
但NiSi在砷化鎵上高溫不穩定，X 光繞射數據顯示８５０℃時有微量Ni As 產生。
而Ni Si在砷化鎵上高溫也不穩定，鍍膜較薄試片其歐傑成份縱深分佈曲線顯示５０
０℃時鎳已和砷化鎵反應。
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