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目錄
摘要
謝辭
圖目錄
表目錄
第一章 緒論
第二章 實驗裝置與實驗步驟
第一節 水平式低壓有機金屬氣相化學沉積系統
第二節 基板晶片的備製
第三章 以(CH3)2 Cd, (C2H5)2Te 和 H2為反應物生長CdTe 磊晶層的機構探討
第一節 生長溫度與生長速率的關係
第二節 DMCd/DETe進料量比與生長速的關係
第三節 結論
第四章 生長溫度和基板晶片表面原生氧化層對CdTe磊晶層晶體結構的影響與探討
第一節 生長溫度與CdTe磊晶層晶體結構的關係
第二節 基板晶片表面原生氧化層對CdTe磊晶層晶向的影響
第三節 (111)CdTe磊晶層的極性
第四節 結論
第五章 CdTe磊晶層的特性分析及討論
第一節 物理特性
第二節 光學特性
第三節 電氣特性
第四節 結論
第六章 CdTe與基板晶片間的界面研究
第一節 CdTe磊晶層與基板晶片間的界面處的traplevels 的研究
第二節 CdTe磊晶層與基板晶片間的界面處的microstructure的研究
第三節 結論
第七章 結論
參考文獻
作者小傳
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