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研究生:楊文玲
研究生(外文):YANG, WEN-LING
論文名稱:加銻鈦酸鋇陶瓷的電性和康普吞攝像
指導教授:張秋男張秋男引用關係
指導教授(外文):ZHANG, GIU-NAN
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣師範大學
系所名稱:物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1988
畢業學年度:76
語文別:中文
中文關鍵詞:康普吞攝像電性鈦酸鋇陶瓷過渡元素稀士元素
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純鈦酸鋇陶瓷是一絕緣體當摻入過渡元素或稀士元素則會降低室溫電阻成一半導體,
且當溫度高於居里溫度(Curie poinr ∼120℃)電阻會急劇地升高,此為鈦酸鋇
陶瓷的PTCR(Positive temperature coefficient of resistivity )。我們以Sb
=0,0.2,0.3,0.4,0.5,0.7at%摻入鈦酸鋇陶瓷測其電性
。發現除Sb=0.5at%室溫電阻降低,而其他電性則較接近,所以我們選擇
Sb=0,0.4,0.5,0.7at%的試片作室溫的康普吞攝像及Sb
=0,0.5at%試片作170°±3℃的康普吞攝像。
康普吞攝像即是電子動量在散射方向的投影量。我們以強度為100Ci能量為662
Ker 的γ一射線作康普吞散射實體,探測當銻含量增加時室溫阻抗和康普吞攝像變化
關係及溫度在170℃時晶體結構和阻抗與康普吞攝像變化的關係。由實驗結果顯示
當銻含量增加時室溫阻抗變高可能是因在晶體的取代式即(Ba Sb (Ti
Ti )O)不只一種,可能有二種或三種以上即(Ba Sbu (Sb ) )。且當溫
Sb Ti Ti )O)。且當溫度=170°±3℃時晶體結構
和電子結構亦會影響電子動量的分布。
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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