本文以實驗方法探討平板擾流器對大型積體電路LSI 溫度場的影響。實驗方法包括以
紅外線輻射測溫儀量測模擬積體電路裝置的表面溫度，及用水卓觀察其流場結構。實
驗參數包括雷諾數，風道高度，平板擾流器的位量及其角度的變化。結果顯示，在L-
SI的流向間隙及橫向間隙為熱傳效果較差的區域。當加了平板擾流後，其產生的間隙
流（gap flow）及釋出渦流（sheddinf vortex ）可改變此間隙區的流場及從LSI 上
方引上方引進自由流（freestream）的流體進入LSI 圖圍，使熱傳係數增加。而風道
高度對模擬裝量的降溫效果有一最佳高度，其值約為每個LSI 高度的五倍。平板擾流
器角度變化對溫度場而言在風道高度較大時其影響較大，然而就LSI 的降溫效果來說
，以３０度和６０度的效果最佳。角度大的平板擾流器（指１２０°與１５０°）相
對於角度小的平板擾流器（指３０°與６０°）而言，角度大者僅對平板擾流器前方
的LSI 有稍佳的降溫效果。
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