積體光學具有體積小，重量輕，損耗能量低，可靠度高，可大量生產，光校準容易，
對振動敏感度低等優點，因此將來可以廣泛地用於光訊號處理元件及光纖通信。
因砷化導波器可與雷射，偵測器，開關，調制器等主動元件同在一基板上，而減少光
學對準操作及達成光電積體電路之積體化優點。欲研製特性良好之砷化導波器，以降
低傳播損失，所成長之化合物半導體薄膜，需要表面相當平滑，且成份及厚度之控制
需相當精確，分子束磊晶成長法由於具備上述薄膜成長之優點，因此廣泛地應用作為
光電元件及微波元件之磊晶薄膜成長。
本文即係以分子束磊晶成長法在砷化基板上成長砷化及砷化鋁之晶膜，靠著能隙及折
射率之關係，而形成光波導器。以不同之成長厚度及調變砷化鋁之鋁的含量去研究平
面式光導波器，並利用電子束製作之光罩上不同寬度條狀之圖案，用化學蝕刻法去除
平面光波導之不必要部分，而形成二維之狀光波導器。
並針對適合光纖通信之單模態去研究，以製作出單模低損耗之光波導器，作為爾後從
事積體光學各有關元件研究之基礎。為了得到導波器之損耗特性，利用１．３微米之
InGaAsP 單模態雷射光為光源，將光源耦合進入砷化光波導器中，觀察光波導器之功
率損失，並分析其可能損失之機構。
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