異質接面電晶體同時具有高電流增益和高速的優點。因此，於微波及高速交換應用上
，異質接面電晶體已成為最具發展潛力的元件之一。目前，以砷化鋁鎵／砷化鎵
（AlGaAs／GaAs）及磷砷化銦鎵／磷化銦（InGaAs／InP ）二種材料最受到重視。由
於InGaAsP／InP 材料涵蓋波長１．３微米至１．５５微米零色散及低損耗的範圍；
因此，此種材料於光電積體電路上的應用，尤其重要。
本論文中，成功地以液相磊晶成長技術研製臺地狀（mesa type ），波長１．３微米
InGaAsP／InP雙異質接面電晶體。其結構是在－型InP 基板上，依次成長n－ 型集極
InP ，副集極（sub-collector ）InGaAsP ，P －型基極InGaAsP ，及n －型射極In
P ，最後成長一層n －InGaAs以作為接點層。n －型和p －型雜質分別是錫（Sn）及
鋅（Zn）。並且使用Au／Sn與Au／Zn分別作為n －型，p －型之蒸著源。晶片則在氫
氣環境的RTA 系統中，以４２０℃退火，以形成歐姆接觸。量測的射一基極及基一集
極二極體起始電壓皆約０．３伏特。射一基體崩潰電壓可達１０伏特，而基一極崩潰
電壓則小於１０伏特以下。電晶體正向模式（normal mode ）共射極電流增益可高至
１４０以上。增益值可經由成長更薄厚度的基極層而提高。此外，由於鋅具有高擴散
係數，因此，有外擴散（outdiffusion）的現象發生。此結果會使電流增益值降低。
經由實驗發現，成長的各槽之間，尤其是摻雜鋅該槽，若不加以仔細遮蓋，可能導致
基一集極之間短路。這種現象說明鋅的高蒸氣壓污染了集極層。此外，反向模式（i-
nverted moed）測得電流增益亦可達０．３６。
由實驗觀察電晶體特性，正向模式的補償電壓（offset voltage）小於０．０５伏特
以下；而反向模式的補償電壓則幾為零伏特。此結果亦可經由理論的計算而印證。
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