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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:王志華
研究生(外文):WANG, ZHI-HUA
論文名稱:ZnO半導體陶磁電性及顯微結構之研究
論文名稱(外文):ZnO半導體陶磁電性及顯微結構之研究
指導教授:張炎輝張炎輝引用關係
指導教授(外文):ZHANG, YAN-HUI
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:礦冶及材料科學研究所
學門:工程學門
學類:其他工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1989
畢業學年度:77
語文別:中文
論文頁數:89
中文關鍵詞:氧化物半導體陶瓷電壓電流電容添加劑
外文關鍵詞:ENO 氧化鋅SEMI-CONDUCTOR
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氧化鋅變阻器的非歐姆特性 (non-Ohmic characteristics)是由於各種不同氧化物
添加劑(例如:BiO、SbO、CaO、CoO、MnO.... 等)所造成。本實
驗研究目的,主要是針對氧化物添加劑量、燒結溫度、冷卻速率以及玻璃的添加等變
數,探討其對氧化鋅變阻器電性及顯微結構的影響。
本實驗中,以(100-x)ZnO+x/7(BiO+2SbO+2CoO+CrO+MnO) 之成份設計為
主體,X分別取3.5mol%、7mol% 。繞結溫度範圍訂在1050℃∼1300℃、
2小時。次卻速率控制15℃/min、20℃/min以及30℃/min降溫。添加玻璃成份
選擇PbO-SiO-BO-ZnO,添加比例為1wt%。
經由電流對時間變化的退化實驗結果顯示,添加上述成份玻璃,可使ZnO 變阻器晶粒
間的絕綠層能障升高,因而下降prebreakdown區的漏電流。同時,由於玻璃中的B
離子溶入ZnO晶粒,降低了間隙型鋅離子(zinc interstitials) 的含量,因而改善
變阻器的退化特性,增加其穩定度。
從電流-電壓曲線(I-V curve) 的量測,我們發現:隨著冷卻速率的增加,漏電流
隨之增加,非歐姆係數(α=d(logI)/d(logV))減少。而隨燒結溫
度的增高,漏電流也會增大,但非歐姆係數則會在適當溫度下達到最大值。
最後,利用電容一電壓曲線(C-V curve) 的量測與分析,計算出不同條件下的氧化
鋅變阻器,其donor濃度、能障高度 、trap密度。企圖利用donor濃度與trap 密度的
觀點,來討論本實驗各種變對變阻器所造成的電特性影響。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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