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本文描述利用光激化學氣相沉積法（photo-CVD）成長二氧化錫（SnO）薄膜，並比
較與熱解化學氣相沉積法（thermo-CVD）成長的薄膜之間的異同。本實驗所用的基皮
為玻璃及預先經氧化（100nm SiO）的n-type矽晶片。反應劑為氧氣（O）及四氯
化錫 （SnCl） ，並通入汞蒸汽，藉以產生共振激發，傳送光能並促進反應的進行
。本實驗藉以改變各種參數如溫度、壓力及各種體流量，探討參數對薄膜性質的影響
。結果顯示，以photo-CVD製備薄膜能有效地提高成長速率。薄膜以photo-CVD製備時
，其電阻率隨著成長溫度的上升而下降。但以thermo-CVD製備時，則在成長溫度約３
００℃∼３５０℃時有一最低值。製備的薄膜發現在值約為５０時，電阻率達最低值
。而薄膜經退火後可有效地降低電阻率一倍以上。
薄膜的折射率約在１．８∼２．１之間；在可見光區有高穿透率（＞８０％），而在
波長３００nm∼１２．５μｍ的範圍均無吸收帶：吸收邊緣約４．１６∼４．１９ev
；在２５０℃以上成長的薄膜之Sn, O原子濃度比約為１．３３，Cl 原子濃度則溫度
則溫度的上升而減少。
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