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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:吳政道
研究生(外文):WU, ZHENG-DAO
論文名稱:電漿化學氣相沈積氮化鋁薄膜之研究
指導教授:李中夏李中夏引用關係
指導教授(外文):LI, ZHONG-XIA
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:礦冶及材料科學研究所
學門:工程學門
學類:其他工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1989
畢業學年度:77
語文別:中文
論文頁數:82
中文關鍵詞:電漿陶瓷積體電路鈍化膜薄膜化學氣相沈積法
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氮化鋁( )為一種有多項優越特性的陶瓷材料,熱傳導率比氧化鋁高過10倍以
上,被視為高價值積體電路基板封裝材料;有寬能隙和高聲波速率( )可作供彈
性表面聲波元件;高溫熱穩定性(僅溶於熱磷酸)和高電阻率,是優異的鈍化膜(Pa
ssivation)。研究目的是在低溫成長氮化鋁薄膜探尋作成絕緣膜的可行性。
本研究係利用電漿化學氣相沉積法(PECVD),以NH3,和 為反應氣體,
在 n-type(100)Si晶片和GaAs晶片上沉積氮化鋁( )薄膜。藉著改變沉積溫度,
反應室壓力,rF功率,反應氣體組成及流量,並進一步退火處理,探討氮化鋁薄膜成
長速率、浸蝕速率、晶體結構、組成、光學和電性之影響。
實驗結果與觀察顯示,成長速率和浸蝕速率與沉積條件有密切關係。 表面十分
均勻平滑,薄膜結晶性隨著測積溫度上升而提高,在300℃以上,可得微晶結構,
低於此溫度為非晶形。折射率在1.85-2.05之間,能隙為5.53ev。
由MIS I-V技術量得,電阻率 ,崩潰電場高速4MV/cm以上,顯示氮
氮化鋁薄莫有良好絕緣性質。由C-V圖形知介面之表面電荷密度在 。
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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