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本實驗對N 型砷化鎵的歐姆接觸做了各種組作的接觸電阻和微觀結構上的研究。這些
組成包含了以下的型式：Ni/Ge/Al/Ge/Ni/GaAs,Au/Ni （Pd,Pt）/Ge/GaAs,和Au/InA
s/graded InGaAs/GaAs。結果是AuPtGe的歐姆接觸以快速熱退火在４５０℃退火３０
秒時，有較好的表面和較低的接觸電阻。而且這個結構和傳統的AuNiGe結構有一樣好
的熱穩定性。另外，AuPdGe結構的電性是所有本實驗結果中最差的，大約５×１０
ohm-c㎡ 的範圍。而且表面和AuNiGe的表面差不多，都是粗糙且混亂不堪。另一接觸
組成系統是Al取代了Au成NiGeAlGeNi被證明可以是歐姆性接觸，且它的表面相當平滑
且均勻，不過接觸電阻卻相當高，達１×１０ ohm-c㎡的範圍。
另一方面，穿透電子繞射，Ｘ光繞射和Auger 表面分析被嘗試用來解釋本實驗中的電
性結果。
非合金性接觸結構（Au/InAs/graded InGaAs/GaAs）也被確定是很好的歐姆接觸。由
於不必經過退火處理，它有最佳表面，而且得到最低的歐姆接觸電阻值（０‧０８
ohm-mm），不過它在３００℃的爐子經過１８小時後電性就變差了，甚至不再是歐姆
性接觸。
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