跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(44.213.60.33) 您好!臺灣時間:2024/07/22 16:20
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:郭建戟
研究生(外文):GUO, JIAN-ZAI
論文名稱:鈷鋁化物與砷化鎵界面穩定性之研究
指導教授:黃倉秀
指導教授(外文):HUANG, CANG-XIU
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學工程研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:77
語文別:中文
中文關鍵詞:界面穩定性二極體電子槍磊晶基板薄膜
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:111
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本論文研究鈷-鋁鍍膜與負型GaAs接面之界面穩定性和電性。以電子槍蒸鍍系統製備
鈷-鋁薄膜。薄膜總厚度維持在1000A 且鈷-鋁的成份比維持在1 :1 下,探討層狀
結構鍍膜中,鈷和鋁鍍層的蒸鍍次序,相對厚度和基板加熱等變數,對界面反應與電
性的影響,並且與以雙電子槍共同蒸鍍之鈷-薄膜做比較。實驗結果簡述如下:
1.400 A Co/600 A A1/n-GaAs系統,經550 ℃退火可形成CoAl,但是溫度高於650 ℃
,有CoAs生成,而CoAl的量則隨溫度升高逐漸減少而消失。顯示CoAl化合物在GaAs基
板上的高溫穩定性不佳。
2.(400-X)A Co/600A A1/xA Co/GaAs系統,嵌入x =50的Co薄膜可增加CoAl化合物
的高溫穩定性,對CoAs的生成卻無太大影響。但是嵌入x =200 的Co薄膜,經350 ℃
退火即形成CoAs,而且界面反應生成物更複雜,有一未知化合物生成。
3.以雙電子槍共同蒸鍍製備的1000A Co-Al/GaAs系統,其界面穩定性並未改進,界面
反應生成物與層狀Co/Al鍍膜相似。
4.薄膜蒸鍍時加熱基板雖可增加CoAl的高溫穩定性,對界面反應生成CoAs卻無影響。
5.由穿透式電子顯微鏡繞射圖形顯示,薄膜沒有磊晶現象。由掃描式電子顯微鏡觀察
試片,發現退火溫度高於650 ℃時,表面有島型結構出現。
6.層狀結構鍍膜形成的蕭基二極體,以350A Co/600A Al/50A Co/GaAs 的蕭基特性最
佳。而以雙電子槍製備的蕭基二極體,其電性優於層狀鍍膜。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
無相關期刊