因為阿伐核種的能量一般均在四MeV 左右，而阿伐半導體偵檢器對阿伐能譜的解析度
一般只有數十KeV ，故在阿伐能譜上能峰往往重疊的很嚴重。
因此本論文建立一阿伐能譜偵測系統，同時利用一抽真空系統及冷卻裝置。觀查在１
０ 至１０ Torr的真空度下，以及偵檢器於冷卻後，此偵測系統量解析度變化之情
形。以期選擇一對阿伐能譜偵測之最佳條件。經實驗得知，當系統到達１０ Torr之
後，真空度對能量的影響是可忽略的。而偵檢器溫度越低，其能量解析度越差。所以
阿伐能譜偵測的最佳狀況是於室溫及１０ Torr真空度下。同時在此系統偵測條件下
，對 Po， Th， Cm， Pu此四個標準射源做偵測
。
再撰寫一套阿伐能譜的分析程式來解析能譜中各能峰的位置及相對強度。此分析程式
包括三個主要副程式（SHAPE ，SEARCH，FIT ），其中１．SHAPE 副度式係以一主高
斯函數及一副高斯函數和一低能尾巴k ／（a －x） ＋C 等九個參數所組成的數學式
子，來抽述阿伐能峰的形狀。２．SEARCH副程式係對能譜中，各能峰的位置及強度尋
找初值。３．FIT 副程式係對能譜中各參數做最小平方法（least square）調適，而
得最佳參數值。
本分析程式經由 Po， Th， Cm， Pu等能譜的測試
，由結果證明此分析程式是一正確的程式。因此將來可利用此程式，對阿伐樣品做定
性與定量半自動化的分析。而代替人工做此既費事又費時的工作。
|