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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:陳天龍
研究生(外文):CHEN, TIAN-LONG
論文名稱:以高頻電容電壓法分析氧離子佈植對二氧化矽與矽之界面能階密度的影響
指導教授:龔正龔正引用關係
指導教授(外文):GONG, ZHENG
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1989
畢業學年度:77
語文別:中文
論文頁數:73
中文關鍵詞:電容電壓氧離子佈植二氧化矽
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本研究的主要目地是利用高頻電容-電壓(High-Frequency Capacitance-Voltage)
研究不同製程對MOS 電容器Si/Si0 面能階密度之形狀(Shape )和大小(Magni-
tude)的影響。
本研究之MOS 電容器乃在熱氧化前利用氧離子佈植技術精確控制氧原子濃度,利用濕
氧氧化後,在N 氣體中進行後氧化熱退火(簡稱POA ),並在鍍完鋁閘極後,分別在
N 和25%H /N 進行後金屬閘極熱退火(簡稱PMA ),結果發現:1)不同的後金
屬退火條件對Si0 /Si界面能階密度Dit 的形狀有影響;在25%H /N 進行PMA
的有氧離子佈植試樣,其 數量級為4*10∼1.6*10(1/cm ev)之間
,小於沒有氧離子佈植的試樣之 數量級(∼2.5*10 1/cm ev),而在
N 中進行PMA 的有氧離子佈植試樣之界面能階密度( 數量級為10 1/cm ev
),大於沒有氧離子佈植之 數量級(∼5.1*10 1/cm ev);由界面能
階密度的行狀得知,在N 中進行PMA 會使得有氧離子佈植試樣之Dit 在能帶上半平面
有上昇的趨勢,可能由於佈植入矽的氧原子與矽原子形成Si-0弱鍵結或弱互作用所
形成,而在25%H /N 中進行PMA ,大部份試樣其Dit 在能帶上半平面有往下降的
趨勢。顯示不同的PMA 對同樣有氧離子佈植試樣之Dit 形狀和大小有很大的影響,至
於氧離子佈植劑量和能量對Dit 則無法用C -V 方法分析出簡單關係.2)由Co γ
-ray 照射的平板電壓偏移量之結果,發現有氧離子的試樣有輻射加固的效果,且發
現在氧離子佈植後沒有作熱退火處理的試樣結果較差。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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