本文係利用極為簡單方便的蒸鍍法，將四種屬於有機體的Phthalocyanine（簡稱PC）
：AlClPC，INClPC，MgPC，MnPC蒸鍍於Si和GaAs上．再蒸鍍Au上去做為電極，為使之
形成Metal ／Insulater ／Semiconducter 的結構．測量其電容對電壓（C －V ），
電導對電壓（G －V ），電流對電壓（I －V ），電容對頻率的響應（C －F ），以
及熱處理對PC的影響，並探討其介面特性．
這四種PC的介電係數（１M Hz下），電場強度及電阻係數分別為；AlclPC：２．１１
，８．３＊１０V ／CM，５．５＊１０Ω﹣cm．InclPC：２．０７，１．２＊１０V
／CM，５＊１０Ω﹣cm．MgPC：３．２４，８．１＊１０V ／CM，１＊１０Ω﹣cm．
MnPC：２．５１，８＊１０V ／CM，２＊１０Ω﹣cm．電流穿越絕緣層的效應，判斷
應是Frenkel-Poole ，ohmic ，ion conduction三種效應引起，再由lnI 對lnV 的斜
率一直是數個order 來看，應以Frenkel-poole 效應為主．電容對不同頻率所發生的
frequency dispersion現象，一般被認為是dielectric dispersion 和interface s-
tate dispersion 的影響，而對GaAs後者的影響較明顯．C －V 的遲滯現象是由ion
drift ，polarization，及charge injection共同影響，而以ion drift 及polariz-
ation 影響為主．照光後的C －V 曲線，由其遲滯現象可知為ion 或polarization的
效應．電流也因照光而有所改變．熱處理對PC造成明顯的特性改變．此外在偏壓﹣加
溫後造成C －V flat-band voltage 的偏移，顯示絕緣層（PC）內有帶負電的離子存
在．
至於PC與Si和GaAs的介面問題，發現所有的MIS 均有deep-depletion的現象，此因絕
緣層內的電荷注入半導體表面造成inversion layer 屏障效應的消失產生的結果．最
後沿用Terman的方法計算surface state 只得到靠近band-edge 的值．
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