目的：ⅢⅤ價化合物半導體如砷化鋁鎵／砷化鎵等由於近年來微電子、光電及微波工
業的迅速發展，已經成為眾所矚目的焦點。我們以有機金屬氣相磊晶法成長砷化鋁鎵
／砷化鎵磊晶，並研究其特性。另外，我們嘗試薄層成長，並研究介面現象以及短時
間之成長效應。
方法：以改良後之系統做砷化鋁鎵／砷化鎵磊晶，藉Van der Pauw、X 光繞射儀、掃
描式電子顯微鏡、EDAX、光激放光、光學吸收等方法研究在不同成長條件及參數下所
獲得之磊晶層特性諸如均勻度（Uniformity）、表面形態（Morphology）、結晶狀態
成長速率、鋁之莫耳分率（X值）、載子濃度、移動率、殘餘（或背景）雜質（Resid
ual Impurity），與放光頻譜、光學吸收頻譜等，以提供將來製作元件之參考。另外
，以新系統開始嘗試薄層成長，以界面陡峭度之提高（除去漸變）與量子井尺度為目
標，採取不同溫度，不同層間氫氣清滌時間，降低反應器內氣體源分壓等方法成長多
層量子井和超疊晶格結構，經由橫截面穿透式電子顯微鏡（XTEM）分析其結果。
內容與結果：在磊晶層性質方面，我們發現，TMA 在６５０℃之前，分解較TMG 不完
全，故若採低溫成長，X 值將比同樣其它條件之高溫成長樣本低，必須重新校正。在
鋁和鎵的併入效率上，文獻中所記載，鎵的併入較之鋁的效率低，我們在實驗數據中
亦發現這樣的現象，因此，長後之樣本X 值比反應室中鋁佔Ⅲ價氣體的分壓為高。但
在鋁流量加大後，在X 值約０．５處，Ga／Ａ１的併入比已趨近於１。成長所得樣本
多半放光特性良好，顯示無太多的非輻射性中心，此可歸於系統中水氣和氧濃度的有
效監控和抑低。
在薄層成長方面，我們發現，將三元化合物長在二元化合物上時（如本實驗為砷化鋁
鎵／砷化鎵），可在界面觀察到明顯的漸變現象。為了證明三元／二元界面漸變是由
於在成長三元／二元材料時，起始成長（initial growth）了二元材料，我們比較了
三元／二元和二元／二元成長結果，並在後者的實驗中加長清滌時間，加大氫化砷流
量得到如所推論之結果，不管是AlAs／GaAs或GaAs／AlAs皆可以得到低於２０°A 的
界面漸變。
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