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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:蔡建泓
研究生(外文):CAI, JIAN-HONG
論文名稱:互補式金氧半靜態隨機存取記憶體
論文名稱(外文):The design methodology of CMOS SRAM system
指導教授:許振發
指導教授(外文):XU, ZHEN-FA
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1989
畢業學年度:77
語文別:中文
論文頁數:128
中文關鍵詞:隨機存取記憶體記憶體電路方塊
外文關鍵詞:SRAM
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本論文的主要目的是研討一個互補式金氧半靜態隨機存取記憶體(CMOS Static Ran-
dom Access Memory ),簡稱CMOS SRAM,系統設計的方法論(system design meth-
odology )。
首先,我們將介紹一個SRAM系統最簡單的基本架構(basic architecture)與SRAM各
組成電路方塊(building blocks )的一般設計樣式(design style)。接著,我們
將通盤性地描述實現高性能(high performance)SRAM所需的一些先進架構(advan-
ced architecture)和設計技術(design techniques )。最後,我們會提出一個系
統化的SRAM IC 設計流程(design procedure)並且依據此流程嘗試著使用一個2μ
m 單層多晶矽單層金屬(single-polysingle-metal ),簡稱SPSM,的CMOS範例製程
(example process )來設計及模擬(simulate)一個與TTL 相容的高性能CMOS4K
*1SRAM系統。
要強調的是,本論文是以系統的觀點來設計一SRAM IC 。因此,雖然我們僅是以4K
*1的系統做為設計範例,但是本文所提的設計方法與流程同樣地也可推廣至其他不
同容量、技術的SRAM系統上。
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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