本論文中，吾人已成功地研製了二大類感光結構：(i)A1／A2 O ／i／p／i／c,A1／A
1 O ／c／p／i／c,A1／A1 O ／c／i／c／p／i／c,A1／A1 O ／c／i／c／p／i／c／
(ii)A1／A1 O ／c／p／SL(a-Si:H／a-SiC:H)／i／c,A1／A1 O ／c／p／SL(a-Si:H(
B-10ppm)／a-SiC:H)／i／c
在第一大類感光體結構中，當結構在充 ＋7KV電暈時，因熱產生的暗電子越過C-P 接
面位障到達表面中和電荷的數量隨著位於 P層下的阻隔層厚度的增加而增大，表面電
荷被大量中和，表面電荷因而下降。充－7KV 電暈時，吾人發現C／p／i／C結構的表
面電位遠高於i／p／i／c結構，這事實說明了堆積於C-P 異質接面的電洞數目遠多於
i－p同質接面的電洞數。基於上述同樣的理由，具有兩個異質接面的 C／i／C／P／i
／C 其表面電位可以高達-64V／um的感光體結構亦已成功地研製出來。
在第二類結構中，應用了超晶格結構，在充－7KV 電暈時，其表面電位隨著超晶格週
期數的增加而快速增加，這結果說明了堆積於C-P 接面的電洞因超晶格的放大作用而
增多。在充＋7KV 電暈時，a-Si:H／a-SiC:H 超晶格和a-Si:H(B-10pm)／a-SiC:H 超
晶格結構的表面電位和暗衰減時間有很大的不同處。a-Si:H／a-SiC:H 超晶格的表面
電位隨著週期數的增加而快速下降，而a-Si:H(B-10ppm)／a-SiC:H超晶格結構則隨著
週期數的增加而增加，暗衰減時間亦有相同的趨勢。這結果說明了，在aa-Si:H(B-10
ppm)／a-SiC:H 超晶格的捕捉效應比a-Si:H／a-SiC:H 超晶格明顯。