(44.192.112.123) 您好!臺灣時間:2021/03/08 14:41
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:羅堯峰
研究生(外文):LUO,YAO-FENG
論文名稱:新型多層非晶形矽:氫影印感光體之研製
論文名稱(外文):Study of new multilayered photoreceptors based on hydrogenated amorphous silicon
指導教授:熊慎幹
指導教授(外文):XIONG,SHEN-GAN
學位類別:碩士
校院名稱:中原大學
系所名稱:電子工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1990
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:63
中文關鍵詞:多層非晶形影印感光體超晶格電荷
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:103
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本論文中,吾人已成功地研製了二大類感光結構:(i)A1/A2 O /i/p/i/c,A1/A
1 O /c/p/i/c,A1/A1 O /c/i/c/p/i/c,A1/A1 O /c/i/c/p/i/c/
(ii)A1/A1 O /c/p/SL(a-Si:H/a-SiC:H)/i/c,A1/A1 O /c/p/SL(a-Si:H(
B-10ppm)/a-SiC:H)/i/c
在第一大類感光體結構中,當結構在充 +7KV電暈時,因熱產生的暗電子越過C-P 接
面位障到達表面中和電荷的數量隨著位於 P層下的阻隔層厚度的增加而增大,表面電
荷被大量中和,表面電荷因而下降。充-7KV 電暈時,吾人發現C/p/i/C結構的表
面電位遠高於i/p/i/c結構,這事實說明了堆積於C-P 異質接面的電洞數目遠多於
i-p同質接面的電洞數。基於上述同樣的理由,具有兩個異質接面的 C/i/C/P/i
/C 其表面電位可以高達-64V/um的感光體結構亦已成功地研製出來。
在第二類結構中,應用了超晶格結構,在充-7KV 電暈時,其表面電位隨著超晶格週
期數的增加而快速增加,這結果說明了堆積於C-P 接面的電洞因超晶格的放大作用而
增多。在充+7KV 電暈時,a-Si:H/a-SiC:H 超晶格和a-Si:H(B-10pm)/a-SiC:H 超
晶格結構的表面電位和暗衰減時間有很大的不同處。a-Si:H/a-SiC:H 超晶格的表面
電位隨著週期數的增加而快速下降,而a-Si:H(B-10ppm)/a-SiC:H超晶格結構則隨著
週期數的增加而增加,暗衰減時間亦有相同的趨勢。這結果說明了,在aa-Si:H(B-10
ppm)/a-SiC:H 超晶格的捕捉效應比a-Si:H/a-SiC:H 超晶格明顯。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
無相關期刊
 
系統版面圖檔 系統版面圖檔