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研究生:葉兆雄
研究生(外文):YE,ZHAO-XIONG
論文名稱:外在裝置對大型積體電路流場之影響
論文名稱(外文):Managing temperature and pressure distributions for LSI packages by external devices
指導教授:周榮華周榮華引用關係
指導教授(外文):ZHOU,RONG-HUA
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:工程科學研究所
學門:工程學門
學類:綜合工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1990
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:78
中文關鍵詞:外在裝置大型積體電路流場半導體單元電路冷卻技術元件
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近三十年來, 積體電路的發展迅速從1960年的 SSI至1982年的VLSI, 單一晶片上的元
件數目增加了10 倍。美國半導體研究公司更預測1990年時, 單一晶片上的元件數目
將會超過 10 個, 所消耗的熱量高達100w/chip[1]。在如此高密度與高功率消耗的元
件, 將造成晶片溫度上升, 過高的元件操作溫度, 將導致元件功率喪失, 甚至永久的
損壞。因此如何降低積體電路的溫度及提高其散熱效率, 是當今研究之一大課題。
欲克服大型積體電路所遭遇的功耗限制, 基本上可由三方面來著手:
1.開發低功耗的半導體材料。
2.選擇低功耗的單元電路。
3.發展更有效的冷卻技術。
冷卻技術的種類很多, 本文僅就利用外在裝置之熱控技術討論之; 主要是在電路系統
設計過程中, 除了考慮散熱問題外, 還必須顧慮到元件的電性, 彼此的電磁干擾以及
組裝和維護等問題。使用外在裝置之熱控技術, 除了能避免上述所遭遇之問題外; 更
可以有效地增加流體之熱傳係數而降低 LSI的溫度。
使用外在裝置(Extcrnal Devices)之熱控技術有:
(1).障礙板 (Barrier)
(2).圓住棒 (Rod)
(3).平板擾流器(Plate Turbulator)
(4).渦流產生器 (Vortex Generators)
本文以實驗方法探討三種不需外加電源的外在裝置, 對大型積體電路流場之影響。實
驗方法包括以紅外線輻射測溫儀測量模擬裝置的表面溫度, 及用Scanivalve微壓量測
系統測量模擬裝置之靜壓降分佈情形。實驗結果顯示, 在空氣強制對流下, 影響熱傳
係數 hav之主控參數為速度; 影響壓力損耗ΔP 之主控參數為風道高度比 H/B, 電諾
數 Re,Dh及外在裝置之幾何形狀。在自然對流下, 浮力效應對實驗結果之影響可忽略
不計, 因 (Gr/Re )<<1; 但在高速低風道情況下, 必須考慮壓力損耗之影響。
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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