近年來, m-V 族半導體被廣泛的研究著, 而銻化鋁鎵(Al×Ga,×Sb) 正是其中之一,
此三元複合半導體(Ternary Compound Semieonductor), 隨著鋁所估的比例(X值) 不
同, 其能隙(Energy Gap)由0.7 eV至1.4 eV ,所對應的波長為1.77pm至0.89pm, 在
此範圍的波長, 正是非全矽光纖(SiO -GeO)的最小損失率所在 ,見圖1-1,故可用作
光纖通訊的元件, 又因為有較高的電洞離子化系數 (Hole Ionizat Ron Coeffiei-
ont), 故亦可作累崩光檢器(Avalanche Photodlode , APD)液相磊晶(Liquid Phase
Epitaxy)技術自十九世紀初即已發展, 但至1963年Nelson才用此技術成長半導體 ,
由於液相磊晶可成長高純度的半導體單品, 所以本實驗即以此技術成長銻化鋁鎵, 並
由掃描式電子顯徽鏡(