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研究生:莫定山
研究生(外文):MO,DING-SHAN
論文名稱:液相磊晶成長銻化鋁鎵之拉曼散射光譜研究
論文名稱(外文):Study of Raman scattering spectrum on AlxGa1 -x Sb grown by liquid-phase-epitaxy
指導教授:白桂芳
指導教授(外文):BAI,GUI-FANG
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1990
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:69
中文關鍵詞:液相磊晶銻化鋁鎵拉曼散射光譜三元複合半導體能隙
外文關鍵詞:(LIQUID-PHASE-EPITAXY)(ALXGAXSB)(TERNARY-CONPOUND-SEMICONDUCTO(ENERGY-GAP)
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近年來, m-V 族半導體被廣泛的研究著, 而銻化鋁鎵(Al×Ga,×Sb) 正是其中之一,
此三元複合半導體(Ternary Compound Semieonductor), 隨著鋁所估的比例(X值) 不
同, 其能隙(Energy Gap)由0.7 eV至1.4 eV ,所對應的波長為1.77pm至0.89pm, 在
此範圍的波長, 正是非全矽光纖(SiO -GeO)的最小損失率所在 ,見圖1-1,故可用作
光纖通訊的元件, 又因為有較高的電洞離子化系數 (Hole Ionizat Ron Coeffiei-
ont), 故亦可作累崩光檢器(Avalanche Photodlode , APD)液相磊晶(Liquid Phase
Epitaxy)技術自十九世紀初即已發展, 但至1963年Nelson才用此技術成長半導體 ,
由於液相磊晶可成長高純度的半導體單品, 所以本實驗即以此技術成長銻化鋁鎵, 並
由掃描式電子顯徽鏡(

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