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研究生:吳建華
研究生(外文):WU,JIAN-HUA
論文名稱:以分子束磊晶成長法研製δ-摻雜負微分電阻元件
論文名稱(外文):Investigation of^^ -doped negative differential resistance devices prepared by molecular beam epitaxy
指導教授:劉文超劉文超引用關係
指導教授(外文):LIU,WEN-CHAO
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1990
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:90
中文關鍵詞:分子束磊晶成長法研製δ-摻雜負微分電阻元件自動補償效應迷你能帶
外文關鍵詞:(AUTO-COMPENSATION)(MINIBAND)
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對於分子束磊晶成長過程中的自動補償效應(auto-compensation) , 間歇性停止成長
具有良好的掏效果。運用間歇性停止成長的方法可使得摻雜濃度不受溶解度限制而大
幅提高。這種成長技術稱為δ摻雜。應用δ摻雜可在元件上作非合金歐姆接觸, 避免
高溫燒結帶來元件結構上的破壞。另外在調變摻雜場效電晶體的制作上, 也可用δ摻
雜技術配合非對稱量子井來避免PPC 效應。或者直接用δ摻雜技術產生V 型量子井和
二維電子雲(2DEG), 以此作為汲極與源極間的通道, 如此一來可提高閘極反偏時的崩
潰電壓。
運用δ摻雜技巧也可構築鋸狀狀超晶格結構。此結構的波函數可藉由Airy函數來描述
。短周期和低雜離的迷你能帶(miniband)寬較寬, 位能井間的耦合程度較大。反之,
長周期結構中的耦合效應可忽略。在長擊期鋸齒狀超晶格結構中, 由於累增增益的發
生產生了電子電洞對。因為電洞的有效質量比電子的大, 故電洞容易堆積在價帶頂端
而拉低了位能障, 促使電位差重新分佈、產生S 型負微分電阻。均勻周期、漸變周期
和漸變摻雜等結構為主要的探討對象。在這當中考慮到次累增增益效應、電子平均自
由路徑、位能漳壁寬薄和摻雜濃度高低等對電流傳輸特性的影響。
整個論文飲食了穿透係數的計算、迷你能帶的界定和元件的制作與現象的解釋。

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