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研究生:李念宜
研究生(外文):LI,NIAN-YI
論文名稱:以低壓有機金屬汽相沉積法成長銻化鎵╱砷化鎵異質晶膜及其簫基二極體之研究
論文名稱(外文):GaSb/GaAs heteroepitaxial growth by metal organic chemical vapor deposition and the study of schottky diodes
指導教授:蘇炎坤蘇炎坤引用關係
指導教授(外文):SU,YAN-KUN
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1990
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:104
中文關鍵詞:低壓有機金屬汽相沉積法成長銻化鎵砷化鎵異質晶膜
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GaSb-bascd化合物由於具有長波長光響應的特懷, 波長在1.24μm(AtGaSb) 至4.3μm
(InCaAsSb)及8 至12μm(InAsSb/InSb量子井應力結構) 範圍內具有極低的傳輸損失
, 其電子與電洞移動率亦高於Inp 系列, 故極適合應用於光電元件的研究。本文係採
用有機金屬汽相沈積法成長銻化鎵(GaSb)同質, 祑質磊晶怪於銻化鎵及砷化鎵基板上
并建立最佳成長條件以做為InAs/GaSb高速元件、InGaSb/GaSb、GaAsSb/GaSb等超
晶格應力結構發展之基礎。
本實驗室自行建立的新MOCVD系統專以研究銻為主的Ⅲ-V 半導體材料, 并對量子井及
超晶格元件之制造上亦有初步的考量與設計, 以期成長高品質, 低背影濃度之磊晶層

首先對銻化鎵、砷化鎵基板之清潔步驟及銻化鎵磊晶膜的制程做了詳細的說明, 而后
探討在改變成長參數狀況下, 銻化鎵表面形成及光與電特性之變化。在所有成長條件
下, 銻化鎵晶膜為正型特性, 其在長速率隨〔TEG 〕莫耳分率線性的增加而與〔TMSb
〕菲耳分率無關, 對成長溫度更是密切地相關。〔TMSb〕/〔TEG〕比例在6∼8之間,
可得到鏡似無缺隱的表面, 但過大的莫耳分率將會嚴重地影響到晶膜之品質。
在金屬/銻化鎵蕭基二極體方面, 吾人由不同金屬測量其電流—電壓特性發現不同方
向的銻化鎵基板, 基位障(barrier height)被不同的表面能態(surface states)所箝
住。由於(111)銻化鎵比(100)銻化鎵基板擁有較多的dangling bonds, 而此懸浮的鍵
結容易造成載子的陷阱, 進而箝住金屬與銻化鎵間的能障, 使得吾人難以得到高位障
的蕭基二極體。在熱穩定特性探討中, 吾人發現把/銻化鎵接觸在高溫時(450℃) 易
形成Ga Pd 復合物而將蕭基二極體能障降低形成歐姆接觸, 故利用有限反應(limit r
eaction)的觀念研制雙層金/鈀/銻化鎵蕭基二極體, 發現在450 ℃30分鐘退火下,
依然擁有良好的蕭基特性。

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