本論文研究的目的在研製砷化鋁鎵/ 砷化鎵量子井雷射二極體。首先於理論上分析量
子井內的分離能階及二維的能態密度，並計算出費米能階與注入載子的關係。而且由
計算的增益與電流關係，我們探討量子井數目、共振腔長度、鏡面反射率三項參數對
量子井雷射起始電流的影響。
其次在實驗上，我們以分子束磊晶成長技術研製量子井雷射。而由光激光測量確定量
子尺寸效應的產生；而我們所研製的雷射中，因製程不同，可分為氧化層絕緣條狀雷
射(oxide-insulator stripe laser)與暗蝕刻條狀雷射(shallow mesa stripe laser
) ; 由於後者係先將高濃度覆蓋層蝕刻掉, 所以漏電流較小, 因此後者光--電流特性
較佳。研製所得最低的起始電流和電流密度分別為64毫安培及559 安培 /平方公分，
最高的量子效率可達83.3% 。
此外，我們由實驗結果知道調變的多層量子井雷射的起始電流密度較傳統的低；這是
因為調變的結構活動區內位能障較低，有利於載子注入，且此結構的平均拘限因數較
大等因素。而且將實驗所得起始電流及電流密度與共振腔長度繪製一關係圖，可得知
起始電流密度隨共振腔長度減小而增加，而起始電流隨共振腔長度減小而減小。以上
這些關係圖與前述理論計算所得的趨勢相符合。我們也利用單光儀(monochrometer)
測得雷射激勵發光光譜，主峰值與次峰值比可達3.63，半高寬在 1埃以下。