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研究生:吳三連
研究生(外文):WU,SAN-LIAN
論文名稱:複晶矽蕭基位研究
指導教授:王永進王永進引用關係
指導教授(外文):WANG,YONG-JIN
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1990
畢業學年度:78
語文別:中文
中文關鍵詞:複晶矽蕭基位障二極體參數中性能階粒界位障載子傳播
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本論文提出有關複晶矽蕭基位障之研究。
文中分為兩部分:( 一) 進行P 型複晶矽蕭基位障理論的推導, 其探討主題集中在金
屬工作函數、粒界態位密度,以及雜質濃度等參數對複晶矽蕭基位障之影響。( 二)
應用修正的Norde’s函數, 針對順向偏壓I--V實驗數據, 進行複晶矽二極體參數如蕭
基位障、理想因素,……,等之摘取。此外我們亦提出一簡單的電流一電壓模式,並
進行理論之I--V模擬分析, 尋求與實驗數據吻合。
利用摘取得出之二極體參數,於二極體模式計算結果顯示,實驗位障及I--V曲線與理
論推導的蕭基位障及I--V曲線, 均具良好吻合性。此證明本文提出的理論模式之正確
性與可用性。
另外,中性能階的位置對蕭基位障及粒界位障的高低有極大之影響。由文中分析發現
中性能階較小時,其粒界位障較高。而對金屬複晶矽接面而言,中性能階較小時,其
所形成蕭基位障也較小。至於晶粒大小對複晶矽蕭基位障影響方面,我們發現小晶粒
較大晶粒所形成位障高。此外所提簡單I--V理論模式模擬結果顯示, 中性能階取在Eg
/4位置上, 所得的金屬蕭基位障與實驗所摘取的位障較為符合。此外我們發現介面態
位密度大時,所捕捉之載子數目將會增加,因而在複晶矽內部形成較高粒界位障來阻
礙載子傳播,很顯然的,好的複晶矽膜必須有較低的介面態位。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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