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研究生:陳飛宏
研究生(外文):CHEN,FEI-HONG
論文名稱:MEE"in-situ"成長砷化鋁鎵金-半特性研究
論文名稱(外文):MEE "in-situ"成長砷化鋁鎵金- 半特性研究
指導教授:王永和王永和引用關係洪茂峰洪茂峰引用關係傅勝利傅勝利引用關係
指導教授(外文):WANG,YONG-HEHONG,MAO-FENGFU,SHENG-LI
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1991
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:125
中文關鍵詞:蕭特基二極體載子儲存時間介面絕緣層禁帶表面狀態歐姆性接觸
外文關鍵詞:(SCHOTTKY-DIODE)(CARVIER-STORAGE-TIME)(INTERFACIAL-INSULATING-LAYER)(FORBID-BAND)(SURFACE-STATE)
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金屬-半導體接觸形成之蕭特基二極體(Schottky diode)在半導體領域中廣泛地被應
用。並由於其具有短的載子儲存時間(carvier storage time)而更適合在高頻下工作
。在傳統的金-半二極體的製造上,半導體材料的成長與金屬層的沈積分別在不同的
系統中進行,因此在半導體與金屬層之介面處無可避免地受到空氣的污染而形成一介
面絕緣層(interfacial insulating layer)而在禁帶(forbid band) 存在表面狀態(s
urface state) 。而此幾A 厚的介面絕緣層將重大地改變蕭特基二極體的種種參數和
I-V 與C-V 特性而形成一非理想之蕭特基二極體。
本論文主旨為利用MBE"in-situ"成長Ag/GaAs 與Au/Ag/Fe/Al Ga As金半介面並以之
探討此等Schottky二極體在退火處理前後其物性與電性之變化。
在Ag/GaAs 中,吾人發現經350℃ 50秒退火處理後"ins-itu"Ag 之結晶方向將由(111
) 旋轉至與GaAs晶格較匹配的(200) 方向上而蒸鍍的銀並無此種改變。若退火溫度持
續增高,由X-ray 才發現新的化合相形成。而且由I-V 所測得的有效位障高度由0.85
6ev 漸漸地隨退火溫度的增加而降低。直到550℃ 50秒退火處理後完全變成-歐姆性
接觸。而由C-V 特性中發現隨退火溫度的增加所測得之摻雜濃度由1.67×10 cm 也
隨之增加。造成此種改變之機構在本文中將有詳細之探討。
其次對Au/Ag/Fe/Al Ga As之結構,其退火前後之I-V 與C-V 特性與"in-situ"Ag 有
相同之結果。並且發現隨X 值之增加有較高之位障高度而能承受較高之退火溫度。以
Au/Ag/Fe/AlAs 而言其位障高度為0.934ev ,並且直到650℃ 70秒退火處理後才變成
歐姆性接觸,故其適於高功率元件之應用。

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