(3.237.178.91) 您好!臺灣時間:2021/03/04 09:02
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:施博文
研究生(外文):SHI,BO-WEN
論文名稱:以MBE技術在砷化鎵基板成長銻化鎵之金屬-半導體特性及其應用
論文名稱(外文):Metal-semiconductor properties of MBE grown GaAs on GaAs substrate and its application
指導教授:王永和王永和引用關係洪茂峰洪茂峰引用關係
指導教授(外文):WANG,YONG-HEHONG,MAO-FENG
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1991
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:74
中文關鍵詞:砷化鎵基板半導體特性分子束磊晶成長技熱離子放射理論障位高度
外文關鍵詞:Sb / Ga比值X 射線繞射(MBE)(XRD)
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:85
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
以分子束磊晶成長技術(MBE) 在晶格不匹配的半絕緣基板GaAs上,直接成長Te參雜的
n 型GaSb。吾人在樣品表面蒸著金、銀、銅、鋁等四種金屬,探討不同的Sb /Ga比值
(beam equivalent pressure ratio)對n 型GaSb蕭特基二極體電性之影響。並由熱離
子放射理論與障位高度對金屬功函數之間的關係,發現比值越高障位高度漸減,而表
面能態密度遞增。於比值2 至9 的範圍內,表面能態密度自2.3×10 遞增至1.2×1
0 states/cm /eV,而障位高度則自0.5eV 遞減至0.45eV。
其次,對不同的Sb /Ga比值,藉由表面顯微照相,X 射線繞射(XRD) ,探討退火溫度
對電性的影響。從表面顯微照相上,發現當退火溫度達450℃ ,退火時間30秒時,金
在GaSb表面,會呈現嚴重的破壞現象。並自XRD 分析中,證實Au與GaSb界面會因比值
之不同,形成不同的化合物,導致退火後的接觸電阻隨比值改變。在高比值下,經高
溫退火後,Au會與Ga、Sb原子形成化合物;反之,Au則易與Ga產生化合。因為高的Sb
/Ga比值,具有高的能態密度,表面傳導特性較佳,退火後電阻值減少。
最後,以修正後的漸次通道模式(GCA model) ,分析計算AlSb-GaSb MISFET之電流-
電壓特性,並就其模擬對實驗做一說明。
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
系統版面圖檔 系統版面圖檔