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研究生:陳志民
研究生(外文):CHEN,ZHI-MIN
論文名稱:以低壓有機金屬氣相沉積法成長δ摻雜砷化鎵/砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體
論文名稱(外文):The^^^^-doped GaAs/InxGa^^ As/GaAs high electron mobility transistor grown by LP-MOCVD
指導教授:許渭州
指導教授(外文):XU,WEI-ZHOU
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1991
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:81
中文關鍵詞:金屬氣相沉積法高電子移動率電晶橫截面穿透式電子光激放光量子井結構電容--電壓霍爾量測方法
外文關鍵詞:(XTEM)(PL)(C-V)
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本文係採用低壓有機金屬氣相沉積法成長δ摻雜高電子移動率電晶體,此元件的構想
乃是來自於δ摻雜技術的高二維電子雲濃度,高閘極崩潰電壓,以及高電子移動率電
晶體的高電子移動率,高互導值,結合二者之優點而成。
在材料的選擇上,我們以砷化銦鎵/ 砷化鎵應力層結構取代傳統砷化鋁鎵/ 砷化鎵晶
格匹配的材料,經由橫截面穿透式電子顯微鏡(XTEM)及光激放光(PL)技術證明所長砷
化銦鎵/ 砷化鎵量子井結構為高品質應力層磊晶膜。
另外,使用電容--電壓(C-V) 技術及霍爾量測方法的印證,我們可以在極薄的範圍
成長檢高濃度的δ摻雜砷化鎵。因此,結合δ摻雜技術及高品質應力層材料研製出此
δ摻雜的高電子移動率電晶體(δ-HEMT) 。
在固定銦組成情況下,發現80埃的SPACER厚具有最高的電子移動率;另外SPACER固定
在80埃,在0.37的銦組成得到最高的電子移動率,在300K及77K 時分別為5500及3220
0 cm /v‧s,而其所研製出的電晶體在5 微米閘極長度時,其室溫下未加閘極偏壓的
源極電流密度達97 mA/mm而互導值為48 mS/mm。經由理論模型的計算,δ-HEMT 的摻
雜濃度不要過高讓其在增強模式下操作會有較佳的特性。另外由實驗數據的趨勢及理
論推導,在0.3 銦組成時有最高的二維電子雲濃度。因此在80埃的SPACER厚及0.3 的
銦組成時,δ-HEMT 元件會有最高的二維電子雲濃度及電子移動率之乘積。

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