本文係採用低壓有機金屬氣相沉積法成長δ摻雜高電子移動率電晶體，此元件的構想
乃是來自於δ摻雜技術的高二維電子雲濃度，高閘極崩潰電壓，以及高電子移動率電
晶體的高電子移動率，高互導值，結合二者之優點而成。
在材料的選擇上，我們以砷化銦鎵/ 砷化鎵應力層結構取代傳統砷化鋁鎵/ 砷化鎵晶
格匹配的材料，經由橫截面穿透式電子顯微鏡(XTEM)及光激放光(PL)技術證明所長砷
化銦鎵/ 砷化鎵量子井結構為高品質應力層磊晶膜。
另外，使用電容－－電壓(C-V) 技術及霍爾量測方法的印證，我們可以在極薄的範圍
成長檢高濃度的δ摻雜砷化鎵。因此，結合δ摻雜技術及高品質應力層材料研製出此
δ摻雜的高電子移動率電晶體(δ-HEMT) 。
在固定銦組成情況下，發現80埃的SPACER厚具有最高的電子移動率；另外SPACER固定
在80埃，在0.37的銦組成得到最高的電子移動率，在300K及77K 時分別為5500及3220
0 cm /v‧s，而其所研製出的電晶體在5 微米閘極長度時，其室溫下未加閘極偏壓的
源極電流密度達97 mA/mm而互導值為48 mS/mm。經由理論模型的計算，δ-HEMT 的摻
雜濃度不要過高讓其在增強模式下操作會有較佳的特性。另外由實驗數據的趨勢及理
論推導，在0.3 銦組成時有最高的二維電子雲濃度。因此在80埃的SPACER厚及0.3 的
銦組成時，δ-HEMT 元件會有最高的二維電子雲濃度及電子移動率之乘積。