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研究生:高泉豪
研究生(外文):GAO,QUAN-HAO
論文名稱:快速退火對於1.0微米金氧半電晶體臨界電壓偏移的研究
論文名稱(外文):A study of rapid thermal annealling effect on threshold voltage shift in 1.0um CMOSFETs
指導教授:方炎坤方炎坤引用關係
指導教授(外文):FANG,YAN-KUN
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1991
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:56
中文關鍵詞:電壓(CV)分析回火處理
外文關鍵詞:RTA(快速加熱爐)CMOSPMOSNMOS
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積體電路的密度越高,元件尺寸的益發微縮。故製程上的低溫化及構造的平坦化越變
成重要的課題。傳統上使用爐管作流整/ 再流整的處理以達平坦化的目的,而為經濟
效益上的考慮,故我們採用RTA (快速加熱爐) 於1.0 微米N 複晶層的CMOS再流整製
程上,雖有不錯的效果,但卻會造成PMOS電晶體的臨界電壓之嚴重偏移,而在NMOS上
則很小;此乃導致電性的不對稱。雖然在RTA 有減少加熱週期及降低接觸電阻值等優
點,然而要實際的應用在VLSI製程技術上,則須有效的解決臨界電壓的偏移。
故本論文乃在不同段式的快速加熱再流整下及改變上升、下降速率,不同的氣體環境
下及經RTA 再流整後加作回火處理來探討其偏移的原因及找出一適當的解決方法。經
過高低頻的電容、電壓(CV)分析及摻質濃度,通道長度的測量。我們可建立一模型來
解釋這些現象;得知RTA 導致Si/SiO 介面能態的產生及硼離子的向外擴散還有氧化
物固定電荷的產生皆是影響臨界電壓偏移的原因。
藉著回火處理可降低其因介面能態所導致的偏移量,但改善不大;然而利用RTA 作流
整、爐管作再流整,則其偏移現象已消失且可縮短時間及達流整效果,故不失為應用
製程上的良好方法。

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