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研究生:黃建基
研究生(外文):HUANG,JIAN-JI
論文名稱:砷化鋁鎵導波器及光檢測器之研製
論文名稱(外文):The fabrication of AlxGa^^ As optical waveguide and photodetector
指導教授:蘇炎坤蘇炎坤引用關係
指導教授(外文):SU,YAN-KUN
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1991
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:85
中文關鍵詞:單模態導波器光檢測器液相磊晶系統選擇性蝕刻垂直照射測面導入照射
外文關鍵詞:(LPE)
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本論文嘗試將單模態的Al Ga As導波器和M-S-M 交指狀光檢測器結合在單石GaAS的
基板上。利用0.78 μm的雷射光源以光纖直接耦合進入導波器橫劈面而以加反偏壓的
光檢測器將所產生之光電流引出來達到檢測的目的。
首先由光線原理和電磁理論分析導波器之參數間的關係,並利用局限因素及相對電場
強度來探討折射率及導波層的厚度對其模態的影響,最後選擇一最佳的參數條件來設
計此低損耗的單模態導波器。本論文中所決定的導波層厚度為0.8μm,鋁含量為0.25
。侷限層的厚度為2.5μm,鋁含量為0.35。吸收層的厚度為0.8μm。
其次利用液相磊晶系統(LPE) 成長設計好的導波器,並利用適當的溶液將GaAs/AlGaA
s 層做一選擇性蝕刻,以製成一平面化及積體化的M-S-M 交指狀檢測器和導波器積體
化在一起。
最後藉著調整光源的功率以垂直照射和由測面導入照射的方式在檢測器上各可得到不
同的光電流。在105μW的垂直照射下,當反偏壓為13伏特時可得到暗電流為10.6μA
;產生之光電流為22.4μA ;響應度為0.213A/W;量子效率為34% 的光檢測器,相同
條件下由測面照射所能產生的光電流只有8.4μA,光電流的減少乃由於光在導波器中
傳導的損失所引起。而在臨限電壓的範圍內,固定電壓下量子效率會隨著入射光源功
率的增加而降低;在固定的入射光功率下電壓的增加會使得量子效率也增加。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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