本論文中,將致力於發展新的砷化鎵負電阻元件,主要是包括開關元件和雙載子-單 載子過渡元件。在第一個單元將觀察開關元件的電性與光性,對於三端p+-n- (p+)- n-+n- 開關元件可能的電壓控和電流控結果作詳細的討論,從其中發現第三端電極位 置影響電性甚大,由新提出的構想可得到一些改進的電壓控特性。另外,經由p+-i- (n+)-i- (p)-i-n+ 雙三角壁障結構可得到一新的三態開關元件,利用其壁障依次 的下降,可看到,兩個明顯不同的轉換區域,此元件應用在三態邏輯電路上可能性很 大。 在第二個單元中將研究一個電壓控和電流控n+-i-p+-i-n+砷化鎵雙載子∼單載子過渡 負電阻元件(BUNDR ),由於它是雙載子和單載子兩種機構混合而成,所以在電流一 電壓特性圖可形成一負電阻區域,其峰值對谷值電流比可經由第三端基極電壓來調變 ,在基極電壓等於5.5 伏下,可得最大值是300 ,此可調變的峰對谷值電流比,代表 最大的峰值電流與功率輸出可由改變第三端基極電壓而得。另一方面,雙載子-單載 子過渡電晶體的幾何效塵也同時列入考慮趼究對於方形、圓形和指狀的電流-電壓特 性作一系列比較,經由適當的選擇形狀、大小可大大地提高功率輸出。相反地,當考 慮電流控時,負電阻只出現在低基極輸入電流,若輸入是高基電流,它則是一個傳統 的雙載子電晶體。 經由這一系列對開關元件與雙載子-單載子過渡電晶體的研究結果,更易讓大家去了 解壁障和類似壁障的元件物理意義。
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