(3.237.178.91) 您好!臺灣時間:2021/03/07 14:50
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:嚴考豐
研究生(外文):YAN, KAO-FENG
論文名稱:分子束磊晶成長砷化鎵負電阻元件之研究與製程
論文名稱(外文):Study and fabrication of GaAs negative differential resistance devices by molecular beam epitaxy
指導教授:張俊彥
指導教授(外文):ZHANG, JUN-YAN
學位類別:博士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1990
畢業學年度:78
語文別:中文
中文關鍵詞:磊晶砷化鎵電壓控電流控電阻元件壁障雙載子單載子
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:143
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本論文中,將致力於發展新的砷化鎵負電阻元件,主要是包括開關元件和雙載子-單
載子過渡元件。在第一個單元將觀察開關元件的電性與光性,對於三端p+-n- (p+)-
n-+n- 開關元件可能的電壓控和電流控結果作詳細的討論,從其中發現第三端電極位
置影響電性甚大,由新提出的構想可得到一些改進的電壓控特性。另外,經由p+-i-
(n+)-i- (p)-i-n+ 雙三角壁障結構可得到一新的三態開關元件,利用其壁障依次
的下降,可看到,兩個明顯不同的轉換區域,此元件應用在三態邏輯電路上可能性很
大。
在第二個單元中將研究一個電壓控和電流控n+-i-p+-i-n+砷化鎵雙載子∼單載子過渡
負電阻元件(BUNDR ),由於它是雙載子和單載子兩種機構混合而成,所以在電流一
電壓特性圖可形成一負電阻區域,其峰值對谷值電流比可經由第三端基極電壓來調變
,在基極電壓等於5.5 伏下,可得最大值是300 ,此可調變的峰對谷值電流比,代表
最大的峰值電流與功率輸出可由改變第三端基極電壓而得。另一方面,雙載子-單載
子過渡電晶體的幾何效塵也同時列入考慮趼究對於方形、圓形和指狀的電流-電壓特
性作一系列比較,經由適當的選擇形狀、大小可大大地提高功率輸出。相反地,當考
慮電流控時,負電阻只出現在低基極輸入電流,若輸入是高基電流,它則是一個傳統
的雙載子電晶體。
經由這一系列對開關元件與雙載子-單載子過渡電晶體的研究結果,更易讓大家去了
解壁障和類似壁障的元件物理意義。
CONTENTS
Abstract
Table captions
Figure captions
Chapter 1. Introduction
Chapter 2. Numerical characterization of GaAs three-terminal triangular barrier (TB) switches
2-1. Introduction
2-2. The qualitative analysis of the TB switch
2-3. Modelling of the TB switch
2-4. Conclusions
Chapter 3. Current-controlled three-terminal GaAs regenerative switches
3-1. Introduction
3-2. Device structure and fabrication
3-3. Results and discussion
3-4. Conclusions
Chapter 4. Voltage-controlled three-terminal GaAs regenerative switches
4-1. Introduction
4-2. Device structure and fabrication
4-3. Results and discussion
4-4. Conclusions
Chapter 5. A tristate switch using double triangular barriers (DTB)
5-1. Introduction
5-2. Device structure and fabrication
5-3. Results and discussion
5-4. Conclusions
Chapter 6. Voltage-controlled three-terminal GaAs bipolar-unipolar transition negative differential resistance transistors (VBUNDR)
6-1. Introduction
6-2. Device structure and fabrication
6-3. Results and discussion
6-4. Conclusions
Chapter 7. Geometry effects on the GaAs voltage-controlled bipolar-unipolar NDR (VBUNDR) transistors
7-1. Introduction
7-2. Device structure and fabrication
7-3. Results and discussion
7-4. Conclusions
Chapter 8. Current-controlled three-terminal GaAs bipolar-unipolar transition negative differential resistance transistors (CBUNDR)
8-1. Introduction
8-2. Device structure and fabrication
8-3. Results and discussion
8-4. Conclusions
Chapter 9. Summary
References
Tables
Autobiography
Acknowledgement
Publication list
figure
第一章
第二章
第三章
第四章
第五章
第六章
第七章
第八章
中文摘要
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
無相關期刊
 
系統版面圖檔 系統版面圖檔