本研究是以紫氏法成長Bi GeO -Bi SiO 系固溶單晶。本研究為探討各成份單晶
之成長機構，對晶體的缺陷。介電性。光學性質等作探討。
隨鍺含量增加單昌的成長速率減慢，晶體轉速範圍由24rpm減至7rpm 左右, 拉升速率
也由4 /hr減至1 /hr。其晶格常數也由10.10 A 直線升至10.14A, DSC 測試結果發
現BGSO單晶在730℃ 有相變發生。但是量非常微小，所以X - 線射無法偵測出。
差排分析結果發現單晶之差排密度皆在10cm 以下,添加鍺可降低BSO之差排密度。BG
SO單晶之差排大部份聚集晶體外側, 主要是由溫度梯度所造成。介電常數隨鍺含量增
加而下降，這是由單晶內極化機構造成。在高頻下由介電常數換算成折射率發現值皆
在2.5∼2.8之間。紅外線穿透率隨鍺含量增加而上升，範圍由50% 升至70% 左右, 吸
收峰在波數為1300cm 至1600cm 之間。在波長範圍為2.5μm 至7μm 內之吸收係數
為0.44cm 至1.25cm , 波長再增長則吸收係數劇增。BGO 單晶之吸收係數比BSO 單晶
小。