(3.238.186.43) 您好!臺灣時間:2021/02/28 21:35
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:黃健銘
研究生(外文):HUANG,JIAN-MING
論文名稱:鉻輿鈦鎢擴散障壁對N型砷化鎵熱穩定歐姆接觸之影響
論文名稱(外文):Thermally stable ohmic contacts to n-GaAs with Cr and TiW diffusion barriers
指導教授:雷添福陳茂傑張振雄
指導教授(外文):LEI,TIAN-FUCHEN,MAO-JIEZHANG,ZHEN-XIONG
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:光電(科學)研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1990
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:71
中文關鍵詞:鈦鎢熱穩定歐姆接觸擴散障壁熱處理穩定性
外文關鍵詞:N型砷化鎵TLM
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:97
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本論文對N 型砷化鎵歐姆接觸做了各種組成的電性及微細結構上的研究,這些組成包
含了以下的型式:Au/Ge/GaAs,Au/Pt/Ge/GaAs,Au/Cr/Ge/GaAs,及Au/Ti/W/Au/Ge/
GaAs。其中介于於上層Au及下層Au/Ge 之間的Cr和TiW 主要是扮演擴散障壁的角色,
為了比較起見,夾Pt以及不夾任何中間層的結構也同時研究。
電性方面的量測是採用標準TLM 方法,為了進一步了解各種歐姆接觸的熱穩定性,我
們也做了長時間處理測試,實驗結果顯示Au/Ti/W/Au/Ge 結構不需要很嚴格的熱處理
條件即可得到較低的接觸電阻,較好的表面,且最穩定。而 Au/Cr/Au/Ge結構的接觸
電阻也很低,但是它的表面及熱穩定性都較差。另一接觸結構 Au/Pt/Au/Ge有很平滑
且均勻的表面,但是唯有熱處理的時間較長, 溫度較高, 此結構的接觸電阻才會較低
, 而它的熱穩定性也比夾擴散障壁的結構差。至於不夾任何中間層的結構 Au/Ge,它
的電性及物性都是所有結構中最差的。
另一方面,穿透式電子顯微鏡,X 光繞射用Auaer 表面分析被嘗試用來解釋本實驗的
電性結果。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
無相關期刊
 
系統版面圖檔 系統版面圖檔