本文研究鋁化鈷/ 砷化鋁鎵在不同砷化鋁含量下的特性變化；並特別對鋁化鈷在砷化
鋁莫耳分率為0.3 的砷化鋁鎵上所形成的肖特基接觸，在不同條件退火後接觸特性作
深入探討。
實驗結果顯示鋁化鈷在液相磊晶成長之砷化鎵薄膜上的能障高度為0.797 電子伏特；
隨著砷化鋁的莫耳分率增加至 0.493，此能障高度增加至1.113 電子伏特；之後，砷
化鋁的莫耳分率增加至0.901 時，此能障高度減至1.043 電子伏特。
鋁化鈷在砷化鋁莫耳分率為 0.3的砷化鋁鎵薄膜上之肖特基接觸，經高溫退火後的結
果顯示，以快速退火法可得較為穩定的電性。快速退火處理后的能障高度變化小。在
退火時，如於樣品上覆蓋一層由電子鎗鍍的二氧化矽膜，則在850℃20 秒快速退火後
，肖特基接觸的理想因子為1.11，能障高度為1.065 電子伏特。