首先研究以低壓化學氣相沉積法在540∼625℃沉積矽晶薄膜, 再以低溫600℃ 回火24
小時, 而後在這些薄膜上制作電晶體。以540℃ 制成之薄膜電晶體有最好之電特性,
如臨限電壓小到1.5 伏特, 開/ 關電流比大到8 個數量級等。由探討薄膜厚度可以發
現愈薄的薄膜制成之電晶體有較佳之輸出特性。另外還研究以1000,1050,1100℃濕氧
氧化對矽晶薄膜之晶粒構造及對薄膜電晶體特性的影響, 發現1100℃氧化之薄膜電晶
體因增加過飽和的矽摻雜質而有好的結果。最後還研究了再次回火對薄膜電晶體之影
響, 結果發現回火溫度愈高及回火時間愈長有較佳之結果。