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研究生:吳集錫
研究生(外文):WU,JI-XI
論文名稱:低溫結晶低壓化學氣相沉積非晶矽薄膜電晶體之製程效應
論文名稱(外文):Process effects on thin-film transistors by low-temperature crystallized LPCVD amorphous silicon films
指導教授:雷添福謝太炯
指導教授(外文):LEI,TIAN-FUXIE,TAI-JIONG
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子物理學研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1990
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:110
中文關鍵詞:低溫結晶低壓化學氣相沉積非晶矽薄膜電晶体製程效應
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首先研究以低壓化學氣相沉積法在540∼625℃沉積矽晶薄膜, 再以低溫600℃ 回火24
小時, 而後在這些薄膜上制作電晶體。以540℃ 制成之薄膜電晶體有最好之電特性,
如臨限電壓小到1.5 伏特, 開/ 關電流比大到8 個數量級等。由探討薄膜厚度可以發
現愈薄的薄膜制成之電晶體有較佳之輸出特性。另外還研究以1000,1050,1100℃濕氧
氧化對矽晶薄膜之晶粒構造及對薄膜電晶體特性的影響, 發現1100℃氧化之薄膜電晶
體因增加過飽和的矽摻雜質而有好的結果。最後還研究了再次回火對薄膜電晶體之影
響, 結果發現回火溫度愈高及回火時間愈長有較佳之結果。

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