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研究生:謝式釗
研究生(外文):XIE,SHI-ZHAO
論文名稱:超大型積體電路短通道P-型逆離子佈值金氧半場效電晶體之電腦模擬
論文名稱(外文):Computer simulations of short-channel counter-implanted P-channel MOSFET's CMOS/VLSI
指導教授:吳慶源
指導教授(外文):WU,QING-YUAN
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1991
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:25
中文關鍵詞:超大型積體電路短通道P-型逆離子金氧半場效電晶體電腦模擬衝穿效應數值分析模擬器逆離子佈值接面深有效通道長度
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在本論文中,我們將已有的次微米金氧半電晶體模擬器(SUMMOS)推廣至P-型逆離子佈
值金氧半場效電晶體的模擬,並且驗證我們的模擬是準確的。同時藉此模擬器之助以
研究P-型逆離子佈值電晶體縮小化後元件結構變化對衝穿效應的影響,以作為設計深
次微米的P-型逆離子佈值金氧半場效電晶體的指南,並在製程技術能做到的範圍內,
設計出通道長度等於0.3μm時衝穿電壓大於15伏特的元件。
在第一章中,我們首先簡單地描述了P-型逆離子佈值金氧半場效電晶體的構造,以及
我們用數值分析模擬器模擬電晶體工作的方法,並且說明為何在設計P-型逆離子佈值
金氧半電晶體時要針對衝穿效應去考慮。
在第二章中,我們先介紹各種元件參數的粹取,利用這些參數我們可以計算出元件在
各種偏壓狀態下的電流,然後將計算電流和測量電流做比較,以確定我們的計算及參
數的正確性,以這些參數所計算出的電流來和測量電流做比較,我們發現兩者非常地
吻合,這種現象可由各比較圖中看出。由此可證明我們的參數和計算是正確可信的。
在第三章中,我們利用此模擬器去模擬深次微米P-型逆離子佈值金氧半場效電晶體,
並討論逆離子佈值接面深度(Yj),源極及吸極接面深度(Rj),和有效通道長度對衝穿
效應的影響以做為設計深次微米P-型逆離子佈值金氧半場效電晶體的指南。
在第四章中,我們做一個簡單的結論。

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