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研究生:林玉窗
研究生(外文):LIN,YU-CHUANG
論文名稱:非晶質累崩光二極體的雜訊特性分析
指導教授:洪志旺
指導教授(外文):HONG,ZHI-WANG
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:資訊及電子工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1991
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:62
中文關鍵詞:累崩光二極體雜訊特性分析光纖通訊系統偵測元件累崩區信號雜訊比
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在光纖通訊系統中,累崩光二極體是一個很重要的偵測元件,用來將光信號轉換成電
信號。但無可避免的,其輸出電流會晃動,而造成離訊的來源有三:暗載子產生的數
目和位置、光子到達的數目及累崩過程,這些都是我們無法預測的。這樣的雜訊特性
,便關係著偵測元件的好壞。
穿透式結構的累崩光二極體,可以得到較佳的純電子注入,並將吸收區和累崩區分開
,因此它具有較高的量子效率、高速度和好的信號雜訊比。
在本論文中,發展出累崩光二極體的一般模式,包括多層結構和穿透式多層結構:它
允許能隙、暗電流和撞擊游離係數,可隨位置不同而做任意改變。根據這模式,推導
出倍增值與過離訊因子,並以實際結構為例,模擬出其結果:對相同的暗電流而言,
撞擊游離率越小,可得到較佳的雜訊特性:而固定撞擊游離率時,暗電流對阿訊特性
的影響頗大,它會造成較小的倍增值和較大的過阿訊因子。因此,欲改善累崩光二極
體的雜訊特性,就必須想辦法降低撞擊游離率和暗電流。
為了驗證理論的計算,以兩種不同結構的非晶矽/ 碳化矽累崩光二極體:階梯式累崩
光二極體和穿透式超晶格累崩光二極體為實例,比較其實驗值與理論值的差異,加以
討論,並模擬出游離係數對電場的經驗式子。

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