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研究生:林耿立
研究生(外文):LIN,BENG-LI
論文名稱:以有機金屬化學氣相沈積法進行硒化鋅之異質磊晶
論文名稱(外文):ZnSe heteroepitaxy by MOCVD
指導教授:李明逵
指導教授(外文):LI,MING-KUI
學位類別:碩士
校院名稱:國立中山大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1991
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:85
中文關鍵詞:有機精屬化學氣相沈積法硒化鋅異質磊晶磊晶效果
外文關鍵詞:EPITAXYPHOTO-ASSISTED
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近年來,在傳統的磊晶(epitaxy)成長技術中,加入高能量的光子 (photo-assisted)
以輔助晶體成長之方法已漸受矚目其不僅能夠降低生長所需之溫度,更能夠提高磊晶
膜的品質,且具備了免光罩選擇性成長的潛力。只是到目前為止,光子輔助成長的機
構尚未被了解。所以,究竟入射之光子對於磊晶成長有何影響以及如何影響,便成為
我們俗探討之課題。
硒化鋅(ZnSe)是一種直接能隙的半導體材料,在室溫下具2.67電子伏特(ev)的能帶寬
,是藍光二極體的主要材料之一。結合紅光與綠光二級體,更能夠發展平面式的彩色
顯示器。所以硒化鋅是一種極有價值的材料。
本實驗中,利用具有 488nm波長的氬離子雷射,在傳統的低壓有機金屬化學氣相沈積
法 (MOCVD)中提供輔助之光子,以研究光子輔助的磊晶效果及機構。
在此,我們不僅在砷化鎵(GaAs)的基板上成功地得到高品質的硒化鋅磊晶膜,更利用
光子的輔助,使硒化鋅品質進一步提升。實驗結果顯示,由於光子的加入,磊晶速度
增加,結晶品質提升,光特性也得到相當程度的改善。基於這些實驗結果,我們對於
光子輔助的機構,做了一番探討,並以實驗驗證之。我們認為,光子激發之效應所造
成的基板表面原子間鍵結之破壞,以及表面累積正電荷效果之加強,是光子輔助成長
的重要過程。此外,由於光子的加入,我們觀察到活化能下降了1.65半千/莫耳(Dcal
/mole),此結果更顯示出生長溫度降低的可能性。
我們都知道,如何在更低的生長溫度下,得到更高品質的磊晶膜,是磊晶技術發展中
所追求的目標。所以從本文中,我們得知,在磊晶成長的過程之中,加入光子之輔助
效應,將是一種極具應用價值的磊晶技術。

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