本實驗使用低壓化學氣相沈積(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法在各種
不同物件上鍍鋁, 包括各種基板及氧化鋁粉末, 以LPCVD 法鍍鋁在氧化鋁基板或粉末
上除了改善了熔融金屬鋁不和氧化鋁濡濕(wetting) 的介面現象外, 尚可利用金屬鋁
的各種特殊性質包活, 導電性優, 外層可生成氧化鋁膜等做導電膜或保護膜功能。LP
CVD 法鍍鋁使用有機金屬鋁源為三異丁基鋁(Tiba triisobutyl aluminum) 其蒸鍍溫
度約在250∼315℃是其最適合蒸鍍溫度, LPCVD 法在多孔或粗糙的表面尤其具有非常
好之被覆性。
本實驗另一重點在以LPCVD 法氧化鋁粉末外圍鍍鋁、壓片燒結后其氧化鋁外圍金屬鋁
因高溫氧化膨脹抵消掉燒結緻密化所產生的收縮, 可得到一低收縮率高純度的氧化鋁
燒結體。
本實驗以LPCVD 法在氧化鋁粉鍍鋁, 燒結后發現當氧化鋁粉中金屬鋁含量增加時, 燒
結體積收縮率有減少現象但燒結后強度有下降趨勢, 從燒結后斷面微觀結構可觀察到
鋁膜在高溫時有熔融變形的現象, 可推斷金屬鋁被覆在氧化鋁粉末外圍壓片燒結后金
屬鋁對整個燒結而言并未發生明顯反應性鍵結(reaction bonding)反而因金屬鋁蒸鍍
量的增多而有阻礙燒結緻密化的現象, 所以我們可得到低收縮率的燒結體卻得不到強
度夠好之燒結體。