本研究是探討鈦矽化物改變矽組成比例(x=0.33,0.6,0.8,1,2)以雙電子槍共同蒸鍍在
砷化鎵基板上, 在400℃ 至800℃ 溫度範圍內進行退火熱處理觀察鈦矽化物與砷化鎵
界面熱安定性。以x 光繞射分析穿透式電子顯微鏡鑑定界面反應生成物。以歐傑電子
能譜儀分析元素組成分布情形及相互擴散情形。以掃描式電子顯微鏡觀察表面形態,
以I—V曲線量測探討其電性決定其蕭基能障大小和理想因子。
結果顯示TiSi0.33/GaAs 在500℃ 已有界面反應發生, 而其他成分亦有類似情形。Ti
Si0.33/GaAs,Tisi0.6/GaAs和TiSi0.8/GaAs高溫界面反應生成物是TiAs和Ti2Ga3相。
TiSi/GaAs 在600℃ 以上界面反應生成TiSi和Ti5As3相。TiSi2/GaAs在400℃ 有TiSi
2(C49)介穩相生成, 而在600℃ 以上反應轉化生成TiSi(C54) 穩定相和TisAs3相, 界
面反應生成物主要是以混合物狀態分布在界面附近, 并未有層狀結構形成,TiSi0.33/
GaAs在800℃ 表面由於嚴重界面反應發生, 因此有表面粗糙現象, 而其他成分則表面
相當面坦, 未退火的蕭基二極體其能障約在0.73至0.80ev之間, 理想因子在1.01至1.
09之間, 電性隨膜組成在500℃ 或是更高溫度有劣化情形。所有鈦矽化物蕭基二極體
以TiSi顯現最好熱安定性, 經過600℃ 退火后其能障為0.79ev和理想因子為1.54。