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研究生:李正國
研究生(外文):LI,ZHENG-GUO
論文名稱:助燒結劑對陶瓷的微觀結構與性質的影響
論文名稱(外文):Sintering aids effect on the microstructure and PTC behavior of (Bax Pby)Sr1-x-y TiO3 ceramics
指導教授:胡塵滌胡塵滌引用關係林諭男林諭男引用關係
指導教授(外文):HU,CHEN-DILIN,YU-NAN
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學工程研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1991
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:91
中文關鍵詞:助燒結劑微觀結構粉末前處理正溫度係數電阻晶粒成長效果電性性質
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本文的研究重點在於探討變化助燒結劑的種類和添加的量以及制程參數(粉末前處理
、燒結溫度、燒結時間、冷卻速率),藉以得到一種新型的PTCR( 正溫度系數電阻)
陶瓷半導體, 即具有V-型PTCR特性曲盄的鈦酸鍶鉛陶瓷。另外藉擴散偶(diffusion
couple) 的實驗來探討助燒結劑對( )系列陶瓷的微觀結構之影響
。其結論如下:
1.在(PbSr)TiO 或(BaSr)TiO 系列中SiO 是Al O , SiO 及TiO 三者中,最有幫助晶
粒成長效果的添加劑,另外含有SiO 的混合添加劑如Al O SiO 及SiO -TiO 二者也
有幫助晶粒成長之效果;唯有Al O -TiO 的混合添加劑在此二系列中皆不會有幫助晶
粒成長的效果。
2. 在1220℃燒結30分鐘,
以每小時300 ℃的升降溫速率可獲得良好的V-型PTCR特性曲線,及10 的PTCR-jump值

3.任何制程上的偏差,如:太少的助燒結劑(SiO ),太高式太低的燒結溫度,燒結時
間太短,冷率速率太慢,等……皆會產生不良的電性性質,甚或使半導性消失。
4.助燒結劑-SiO 在燒結前粉末的表面分布均勻與否將對燒結后試片的微觀結構均勻
與否有絕對的影響,而好的微觀結構(均勻的大晶粒)之試片,表現出良好的V-型P-
TCR特性曲線。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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