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研究生:方榮熙
研究生(外文):FANG,RONG-XI
論文名稱:表面處理對於三五族化合物半導體蕭基能障的影響
論文名稱(外文):Effect of surface treatment on the schottky barrier of III-V compound semiconductors
指導教授:黃倉秀
指導教授(外文):HUANG-CHAN-XIU
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學工程研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1991
畢業學年度:78
語文別:中文
中文關鍵詞:表面處理三五族化合物磷化鎵蕭基能彈金屬接面界面化學
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本研究主要的課題在於研究磷化鎵(GaP) 及磷化銦(InP) 晶片表面經過各種溶液處理
之后對其蕭基二極體的電性的影響。磷化鎵二極體的金屬接面主要為Pt、Au、Co、Al
,而磷化銦的金屬接面則為Pt,電性的量測主要為電流-電壓,電容-電壓特性曲盄
。我們也對各個試片作常溫下,長時間的時效行為進行觀察。
我們發現磷化鎵在鍍金屬薄膜之前的浸蝕溶液處理以H SO : H O : H O (5:1:1) 為
最好。而再經過(NH ) S 處理后的磷化鎵試片其界面能態密度降低,使得蕭基能障值
更接近理想的蕭基模型,而其復雜的時效行為說明了磷化鎵的蕭基能障值與界面化學
有很大的關系。對於磷化銦而言,經過P S /(NH ) S處理的晶片,其Pt的二極體蕭基
能障值較只經過氨水處理提高,而漏電流則相對降低了,而經由AES 及XRD 的觀察,
我們發現經過P S /(NH ) S 處理后, 磷化銦的表面有一層In S 存在,此層In S
限制了磷化銦與金屬間的反應,同時因為它是一種比磷化甸能帶寬還高的半導體,所
以其存在使得磷化銦的蕭基能障值提高。

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