本研究主要的課題在於研究磷化鎵(GaP) 及磷化銦(InP) 晶片表面經過各種溶液處理
之后對其蕭基二極體的電性的影響。磷化鎵二極體的金屬接面主要為Pt、Au、Co、Al
，而磷化銦的金屬接面則為Pt，電性的量測主要為電流－電壓，電容－電壓特性曲盄
。我們也對各個試片作常溫下，長時間的時效行為進行觀察。
我們發現磷化鎵在鍍金屬薄膜之前的浸蝕溶液處理以H SO : H O : H O (5:1:1) 為
最好。而再經過(NH ) S 處理后的磷化鎵試片其界面能態密度降低，使得蕭基能障值
更接近理想的蕭基模型，而其復雜的時效行為說明了磷化鎵的蕭基能障值與界面化學
有很大的關系。對於磷化銦而言，經過P S /(NH ) S處理的晶片，其Pt的二極體蕭基
能障值較只經過氨水處理提高，而漏電流則相對降低了，而經由AES 及XRD 的觀察,
我們發現經過P S /(NH ) S 處理后, 磷化銦的表面有一層In S 存在，此層In S
限制了磷化銦與金屬間的反應，同時因為它是一種比磷化甸能帶寬還高的半導體，所
以其存在使得磷化銦的蕭基能障值提高。