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研究生:陳維恕
研究生(外文):CHEN,WEI-SHU
論文名稱:Ta金屬矽化物在GaAs上的穿膜離子佈植
論文名稱(外文):Ta金屬矽化物在GaAs上的穿膜離子佈植
指導教授:葉鳳生
指導教授(外文):YE,FENG-SHENG
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:65
中文關鍵詞:穿膜離子佈植退火高遷移率薄膜
外文關鍵詞:Ta金屬矽化物GaAs
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本論文的目的有二, 其一是以穿膜離子布植, 得到淺導電通道, 其二是了解穿膜離子
布植的載子分布。前者的實驗條件TaSix 的厚度為300 埃或600A, 布植能量為60KEV,
100KEV, 布植量為6E12cm ,4E13cm ,2E14cm ,布植后, 施以900℃,5 秒, 10秒,
15秒的快速退火求得高遷移率的淺通道。后者由C—V及Differential Hall 配合, 以
求得到完整的載子濃度分布。再與理論比較, 找出NRS 最適合。
在穿膜離子布植及退火后, 薄膜的性質由X-ray diffraction,Hall Mobility,RBS,Ph
-otoreflectence 及Auger 等相配合, 以期找到最好的制程條件。我們的薄膜組成以
Ta Si 等相配合, 以期找到最好的制程條件。我們的薄膜組成以Ta Si 較多, 當薄膜
厚度300A, 以100KEV能量做離子布植, 發現有Ta擴散到GaAs晶圓內, 以60kev 布植,
現象未發生。再由Photoreflectence及霍爾測量實驗知RTA 條件為900℃,15秒時, 晶
體再生長最好。此件將會用於以后的SAG GaAS MESFET 的技術上。
在Schottky Diode電性測量, 我們因所制作diode 本身,TaSix薄膜不易define好的形
狀, 有較大的漏電流。且V 較小。不過我們也證明Breakdown 由Tunneling 作用占優
勢。以100kev布植的薄膜, 我們diode 的理想因子可達1.2。 若用較佳的薄膜制程條
件(60kev),相信可達較好的結果。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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