一種可以用來計算δ攙雜異質電晶體的模型已被我們發展出來, 它可以用來計算其電
壓與電流之間的關系, 而且可以計算其電壓與電容的關系。
在這篇論文之中, 解析的通道電場對載子漂移速度的公式被引用, 為了能夠正確的描
述δ攙雜異質電晶體的物理特性, 其載子通道被分成兩個區域( 線性區域與飽合區域
), 在線性區域中, 漸次通道的理論被用來推導, 在飽合區域部份, 二維的Poisson
方程式的近似解被引用來描述飽合區中的電位分布情況, 是由解Grebene-Ghandhi 模
型的邊界條件而得的。電子濃度與閘極電壓間的關系, 本來是由Schrodinger 方程式
與Poisson 方程式的數值自我收斂解求得的, 但是我們以兩種方法來簡易的代替算出
來的電子濃度與閘電壓間的關系式, 一種是用分段線性模型, 另外一種是用修正的Tr
affimienkoff形式的模型, 分段線性模型是利用分離的資料點做線性內插的方法來近
似描述電荷控制情形的方程式, 而第二種方法是用平滑曲線來正確有效的近似電子濃
度與閘電壓間的關系, 其中第二個方法必須要用四個明顯的參數去匹配。
我們的模型不但可以用在低的電壓操作, 也可以用在高的電壓操作, 其計算結果預測
元件最大的電導, 并且元件有的限輸出阻抗亦被估計出來, 元件的電容也包含在計算
當中, 可以把它表示成閘極對源極之間電壓的關系, 也可以把它表示成汲極對源極之
間電壓的關系, 也可以把它表示成汲極對源極之間電壓的關系。適當調整模型中的一
些參數, 可以使模型與實驗中的電流和電壓特性相符合, 進而可用模型預測其它元件
重要的數值。