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研究生:曾能英
研究生(外文):ZENG,NENG-YING
論文名稱:鐵電薄膜之研製輿電性研究
指導教授:蘇慶川
指導教授(外文):SU,QING-CHUAN
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1991
畢業學年度:78
語文別:中文
論文頁數:75
中文關鍵詞:鐵電薄膜資料非揮發性濺鍍退火處理非鐵電性的界面
外文關鍵詞:P-E 遲滯曲線
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摘要
本實驗主要針對鐵電物質的鐵電電性在記憶體的應用上具有資料非揮發性的特點,來
研究鐵電薄膜的製造,並量測其鐵電電性。我們首先選擇PT做為首次研究對象,以濺
鍍的方式,藉著高頻磁控式濺鍍機,在經離子佈植過的矽基板(100) 上長出一層PT薄
膜,在大氣下經退火處理結晶後鍍上電極,以電容的型式來量測電性,並在整個過程
中研究如何製作具有鐵電性的鐵電薄膜。實驗的重點先放在表面的均勻度及退火結晶
上,並改變濺鍍條件,如濺鍍靶中之含鉛比例、氣體種類及壓力、基板溫度等變化,
以及利用各種不同的退火溫度及時間,來觀察其對表面及結晶的影響,最後則以電性
測量中鐵電電性的好壞驗證整個實驗過程。
實驗中發現,PT薄膜經退火處理結晶依退火溫度的高低產生不同的結晶結構,退火溫
度要在約650℃ 以上的高溫得到一般PT所具有的正方晶結構,而在較低的退火溫度則
得到非鐵電性的扭曲立方晶結構。
在進行電性測量時發現,具正方晶結構的薄膜未出現有鐵電P-E 遲滯曲線,而其介電
係數偏低,但在較低溫退火得到扭曲立方晶結構者卻有較高的介電係數。經分析,我
們懷疑是因為,形成正方晶結構的退火溫度過高使得PT薄膜與矽基板反應生成一層非
鐵電性的界面,而降低了鐵電的效果。除了這層界面以外,膜內的孔隙也會在電性上
造成相同的影響。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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