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研究生:李榮祥
研究生(外文):LI,RONG-XIANG
論文名稱:PN接面元件之輔射效應研究
論文名稱(外文):PN接面元件之輔射效應研究
指導教授:胡振國胡振國引用關係
指導教授(外文):HU,ZHEN-GUO
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1991
畢業學年度:79
語文別:中文
論文頁數:53
中文關鍵詞:接面元件輔射效應雷射二極體逆向漏電流順向電流放大器反向器
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本文之目的在於研究PN接面元件經由輻射破壞所造成的特性衰退,希望對於PN接面輻
射效應有更進一步的了解。研究方向分為三個部分,第一部分為研究SiPN接面,第二
部分為研究Si BJT,第三部分為研究AlGaAs DH雷射二極體。本文實驗是使用Co-60(r
射線)輻射。
由實驗結果可看出:Co-60輻射會使Si PN接面少數載子生命期減小、逆向漏電流增加
、順向電流增加、ideality factor n 值變大、逆向崩潰區的曲線斜率變小,並使N
P接面崩潰電壓變大,P N接面崩潰電壓變小;Co-60輻射會使Si光二極體之光靈敏度
(Sensitivity)減小,且波長短處變化越明顯;Co-60輻射會使Si BJT電流增益明顯下
降;輻射對Si BJT類比放大器電路沒有明顯的影響,但可能會使Si BJT數位反向器失
去反向器的特性,但其轉換速度反而增快;另外Co-60輻射對於AlGaAs DH雷射二極體
並無明顯的影響。

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