本文之目的在於研究PN接面元件經由輻射破壞所造成的特性衰退，希望對於PN接面輻
射效應有更進一步的了解。研究方向分為三個部分，第一部分為研究SiPN接面，第二
部分為研究Si BJT，第三部分為研究AlGaAs DH雷射二極體。本文實驗是使用Co-60(r
射線)輻射。
由實驗結果可看出：Co-60輻射會使Si PN接面少數載子生命期減小、逆向漏電流增加
、順向電流增加、ideality factor n 值變大、逆向崩潰區的曲線斜率變小，並使N
P接面崩潰電壓變大，P N接面崩潰電壓變小；Co－60輻射會使Si光二極體之光靈敏度
(Sensitivity)減小，且波長短處變化越明顯；Co-60輻射會使Si BJT電流增益明顯下
降；輻射對Si BJT類比放大器電路沒有明顯的影響，但可能會使Si BJT數位反向器失
去反向器的特性，但其轉換速度反而增快；另外Co-60輻射對於AlGaAs DH雷射二極體
並無明顯的影響。