雙位障共振穿透結構，於1974年首先在晶體半導體被研製出來，由於其具有負電阻特
性及可應用在高速元件的優點，而引人注意. 非晶材料由於缺乏長的排列次序，較短
的德布洛依波長和平均自由路徑，以及較大的有效質量等因素，限制了非晶的共振穿
透效應.
本論文中，吾人成功地研製出a-Si:H/a-SiC:H雙位障共振穿透二極體，可於室溫下明
顯看到NDR 特性，據此，高速的非晶矽元件將可望被開發出來，也證明非晶確有量子
效應.
並且研製單位障三位障二極體作一比較，證實NDR 確由雙位障共振穿透而來更加確定
雙位障共振穿透特性.
在位障與量子井寬控制適宜的情況之下，可以獲致不錯之PTV 值.
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