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研究生:吳崑旭
研究生(外文):WU, KUN-XU
論文名稱:非晶矽/非晶碳化矽共振穿透雙位障元件之研製
論文名稱(外文):Characterization and preparation of a-Si:H-/a-Sic:H resonant tunneling double barriers
指導教授:方炎坤方炎坤引用關係
指導教授(外文):FANG, YAN-KUN
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1992
畢業學年度:80
語文別:中文
論文頁數:37
中文關鍵詞:非晶材料共振穿透量子井雙位障共振
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雙位障共振穿透結構,於1974年首先在晶體半導體被研製出來,由於其具有負電阻特
性及可應用在高速元件的優點,而引人注意. 非晶材料由於缺乏長的排列次序,較短
的德布洛依波長和平均自由路徑,以及較大的有效質量等因素,限制了非晶的共振穿
透效應.
本論文中,吾人成功地研製出a-Si:H/a-SiC:H雙位障共振穿透二極體,可於室溫下明
顯看到NDR 特性,據此,高速的非晶矽元件將可望被開發出來,也證明非晶確有量子
效應.
並且研製單位障三位障二極體作一比較,證實NDR 確由雙位障共振穿透而來更加確定
雙位障共振穿透特性.
在位障與量子井寬控制適宜的情況之下,可以獲致不錯之PTV 值.

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