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研究生:林盈禎
研究生(外文):LIN, YING-ZHEN
論文名稱:以射頻磁控濺鍍法成長ZnS:Tb,F薄膜結晶性之研究
論文名稱(外文):Crystallinity of ZnS:Tb, F thin film prepared by RF magnetron sputtering
指導教授:橫山明聰蘇炎坤蘇炎坤引用關係
指導教授(外文):HENG-SAN, MING-CONGSU, YAN-KUN
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1992
畢業學年度:80
語文別:英文
論文頁數:32
中文關鍵詞:薄膜射頻磁控濺鍍法
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為了要製造高亮度的薄膜電激發光元件,我們以射頻磁控濺鍍系統成長ZnS:Tb,F薄
膜,並對其成長條件做一系列的研究。在以功率密度 4.39 W/cm,基板溫度150
℃,氣體壓力2x10﹣torr及做一小時 550℃的退火所得之薄膜有最佳的結晶性。
我們以EPMA量測薄膜的組成比,結果可發現發光中心以TbF 複合中心存在。此外,
我們利用一低電阻之 HfO做為鄰接發光層之絕緣層,來改善元件之光特性。而以
堆疊式絕緣層,玻璃/ITO/SiO/HfO/ZnS:Tb,F/HfO/SiO/Al為結構之元件,
在外加電壓140 V 及1 kHz 的正弦波激發下,有最高亮度830 cd/㎡ ,這是因為在
HfO-ZnS 介面有較高密度的介面狀態的緣故。

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