為了要製造高亮度的薄膜電激發光元件，我們以射頻磁控濺鍍系統成長ZnS:Tb,F薄
膜，並對其成長條件做一系列的研究。在以功率密度 4.39 W/cm，基板溫度150
℃，氣體壓力2x10﹣torr及做一小時 550℃的退火所得之薄膜有最佳的結晶性。
我們以EPMA量測薄膜的組成比，結果可發現發光中心以TbF 複合中心存在。此外，
我們利用一低電阻之 HfO做為鄰接發光層之絕緣層，來改善元件之光特性。而以
堆疊式絕緣層，玻璃/ITO/SiO/HfO/ZnS:Tb,F/HfO/SiO/Al為結構之元件，
在外加電壓140 V 及1 kHz 的正弦波激發下，有最高亮度830 cd/㎡ ，這是因為在
HfO-ZnS 介面有較高密度的介面狀態的緣故。